Ю.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВ
Аннотация
Об авторах
Ю. В. БогатыревБеларусь
С. Б. Ластовский
Беларусь
С. А. Сорока
Беларусь
С. В. Шведов
Беларусь
Д. А. Огородников
Беларусь
Список литературы
1. Claeys C., Simoen E. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices. Berlin, 2002.
2. Barnaby H.J. // IEEE Trans. Nucl. Sci., 2006. Vol. 53. P. 3103-3121.
3. Colinge J.P. Silicon-On-Insulator Technology: Materials to VLSI. Kluwer Academic Publishers, 1997.
4. Revesz A.G., Hughes H.L. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices / Ed. by J.P. Colinge, et. al. Kluwer Academic Publishers, 1995.
5. Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М., 2004.
6. Liu S.T., Fechner P.E., Jenkins W.C., et. al. // Electrochemical Society Proceedings. 2001. Vol. 3. P. 121-126.
7. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, 1986.
8. Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М., 1988.
9. SILVACO International. ATLAS User’s Manual. Device Simulation Software. [Электронный ресурс]. -Режим доступа: http: // www.silvaco.com. - Дата доступа: 11.08.2015.
Рецензия
Для цитирования:
Богатырев Ю.В., Ластовский С.Б., Сорока С.А., Шведов С.В., Огородников Д.А. Ю.В. БОГАТЫРЕВ, С.Б. ЛАСТОВСКИЙ, С.А. СОРОКА*, С.В. ШВЕДОВ*, Д.А. ОГОРОДНИКОВ. Доклады БГУИР. 2016;(3):75-80.
For citation:
Bogatyrev Yu.V., Lastovsky S.B., Soroka S.A., Shwedov S.V., Ogorodnikov D.A. INFLUENCE OF GAMMA RADIATION ON MOS/SOI TRANSISTORS. Doklady BGUIR. 2016;(3):75-80. (In Russ.)