ВЛИЯНИЕ МОРФОЛОГИИ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА <111>-ОРИЕНТИРОВАННЫХ GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb НАНОШНУРОВ
Аннотация
Приведены результаты расчетов методами из первых принципов <111>-ориентированных GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs и InSb наношнуров со структурой цинковой обманки, которые показывают, что морфология таких наношнуров кардинально влияет на их электронные свойства. Установлено, что для наношнуров с {011} гранями на поверхности формирование небольших по размеру {112} кромок между соседними {011} гранями приводит к более стабильной структуре и удаляет поверхностные состояния в районе запрещенной зоны без пассивации водородом.
Об авторах
Д. А. Яцыно
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Д. Б. Мигас
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Я. С. Арситов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. Б. Филонов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Б. С. Колосницын
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Lu W., Lieber C. M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. Vol. 39. P. R387-R406.
2. Galicka M., Bukala M., Buczko R. et. al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. Vol. 20. P. 454226 (6).
3. Yamashita T., Akiyama T., Nakamura K. et. al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2010. Vol. 49. P. 055003 (5).
4. Leitsmann R., Bechstedt F. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 102. P. 063528 (9).
5. Mohan P., Bag R., Singh S. et. al. // Nanotechnology. 2012. Vol. 23. P. 025601 (5).
6. Johansson J., Karlsson L.S., Svensson C.P.T. et. al. // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 298. P. 635-639.
7. Jeppsson M., Dick K.A., Wagner J.B. et. al. // J. Cryst. Growth. 2008. Vol. 310. P. 4115-4121.
8. Bjork M., Schmid H., Breslin C.M. et. al. // J. Cryst. Growth. 2012. Vol. 344. P. 31-37.
9. Kang J.H., Gao Q., Parkinson P. et. al. // Nanotechnology. 2012. Vol. 23. P. 415702 (11).
10. Rosini M., Magri R. // ACS Nano. 2010. Vol. 4. P. 6021-6031.
11. Moreira M.D., Vanazuela P., Wiwa R.H. // Nanotechnology. 2010. Vol. 21. P. 285204 (7).
12. Schmidt T.M., Wiwa R.H., Vanazuela P. et. al. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 193404 (4).
13. Akiyama T., Nakamura K., Ito T. // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 73. P. 235308 (6).
14. Cahangirov S., Ciraci S. // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. P. 165118 (8).
15. Schmidt T.M. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 123117 (3).
16. Sun W.F., Li M.C., Zhao L.C. // Comp. Mater. Sci. 2010. Vol. 50. P. 780-789.
17. Santos C.B.E., Schmidt T.M. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 103715 (7).
18. Kresse G., Hafner J. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49. P. 14251.
Рецензия
Для цитирования:
Яцыно Д.А., Мигас Д.Б., Арситов Я.С., Филонов А.Б., Колосницын Б.С. ВЛИЯНИЕ МОРФОЛОГИИ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА <111>-ОРИЕНТИРОВАННЫХ GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb НАНОШНУРОВ. Доклады БГУИР. 2015;(3):77-82.
For citation:
Yatsyna D.A., Migas D.B., Arsitov Y.S., Filonov A.B., Kolosnitsyn B.S. EFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE <111> -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRES. Doklady BGUIR. 2015;(3):77-82. (In Russ.)
Просмотров: 637
Послать статью по эл. почте 