bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-495Research ArticleСтатьиВЛИЯНИЕ МОРФОЛОГИИ НА ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА -ОРИЕНТИРОВАННЫХ GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP и InSb НАНОШНУРОВEFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRESЯцыноД. А.YatsynaD. A.noemail@neicon.ruМигасД. Б.MigasD. B.noemail@neicon.ruАрситовЯ. С.ArsitovY. S.noemail@neicon.ruФилоновА. Б.FilonovA. B.noemail@neicon.ruКолосницынБ. С.KolosnitsynB. S.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201503062019037782Copyright © Яцыно Д.А., Мигас Д.Б., Арситов Я.С., Филонов А.Б., Колосницын Б.С., 20192019Яцыно Д.А., Мигас Д.Б., Арситов Я.С., Филонов А.Б., Колосницын Б.С.Yatsyna D.A., Migas D.B., Arsitov Y.S., Filonov A.B., Kolosnitsyn B.S.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/495

Приведены результаты расчетов методами из первых принципов <111>-ориентированных GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs и InSb наношнуров со структурой цинковой обманки, которые показывают, что морфология таких наношнуров кардинально влияет на их электронные свойства. Установлено, что для наношнуров с {011} гранями на поверхности формирование небольших по размеру {112} кромок между соседними {011} гранями приводит к более стабильной структуре и удаляет поверхностные состояния в районе запрещенной зоны без пассивации водородом.

The results of calculations by means of the first principles methods of the <111> -oriented GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb nanowires with zince-blende structure show that the morphology of nanowires affects their electronic properties. It has been established that for nanowires with {011} facets the formation of small-sized {112} edges between adjacent {011} facets results in a stable structure and removes the surface states in the band-gap area without the hydrogen passivation.

АIII-BV наношнурыморфология и зонная структура наношнуровReferencesLu W., Lieber C. M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. Vol. 39. P. R387-R406.Lu W., Lieber C. M. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2006. Vol. 39. P. R387-R406.Galicka M., Bukala M., Buczko R. et. al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. Vol. 20. P. 454226 (6).Galicka M., Bukala M., Buczko R. et. al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. Vol. 20. P. 454226 (6).Yamashita T., Akiyama T., Nakamura K. et. al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2010. Vol. 49. P. 055003 (5).Yamashita T., Akiyama T., Nakamura K. et. al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2010. Vol. 49. P. 055003 (5).Leitsmann R., Bechstedt F. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 102. P. 063528 (9).Leitsmann R., Bechstedt F. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 102. P. 063528 (9).Mohan P., Bag R., Singh S. et. al. // Nanotechnology. 2012. Vol. 23. P. 025601 (5).Mohan P., Bag R., Singh S. et. al. // Nanotechnology. 2012. Vol. 23. P. 025601 (5).Johansson J., Karlsson L.S., Svensson C.P.T. et. al. // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 298. P. 635-639.Johansson J., Karlsson L.S., Svensson C.P.T. et. al. // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 298. P. 635-639.Jeppsson M., Dick K.A., Wagner J.B. et. al. // J. Cryst. Growth. 2008. Vol. 310. P. 4115-4121.Jeppsson M., Dick K.A., Wagner J.B. et. al. // J. Cryst. Growth. 2008. Vol. 310. P. 4115-4121.Bjork M., Schmid H., Breslin C.M. et. al. // J. Cryst. Growth. 2012. Vol. 344. P. 31-37.Bjork M., Schmid H., Breslin C.M. et. al. // J. Cryst. Growth. 2012. Vol. 344. P. 31-37.Kang J.H., Gao Q., Parkinson P. et. al. // Nanotechnology. 2012. Vol. 23. P. 415702 (11).Kang J.H., Gao Q., Parkinson P. et. al. // Nanotechnology. 2012. Vol. 23. P. 415702 (11).Rosini M., Magri R. // ACS Nano. 2010. Vol. 4. P. 6021-6031.Rosini M., Magri R. // ACS Nano. 2010. Vol. 4. P. 6021-6031.Moreira M.D., Vanazuela P., Wiwa R.H. // Nanotechnology. 2010. Vol. 21. P. 285204 (7).Moreira M.D., Vanazuela P., Wiwa R.H. // Nanotechnology. 2010. Vol. 21. P. 285204 (7).Schmidt T.M., Wiwa R.H., Vanazuela P. et. al. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 193404 (4).Schmidt T.M., Wiwa R.H., Vanazuela P. et. al. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 193404 (4).Akiyama T., Nakamura K., Ito T. // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 73. P. 235308 (6).Akiyama T., Nakamura K., Ito T. // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 73. P. 235308 (6).Cahangirov S., Ciraci S. // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. P. 165118 (8).Cahangirov S., Ciraci S. // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. P. 165118 (8).Schmidt T.M. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 123117 (3).Schmidt T.M. // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 123117 (3).Sun W.F., Li M.C., Zhao L.C. // Comp. Mater. Sci. 2010. Vol. 50. P. 780-789.Sun W.F., Li M.C., Zhao L.C. // Comp. Mater. Sci. 2010. Vol. 50. P. 780-789.Santos C.B.E., Schmidt T.M. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 103715 (7).Santos C.B.E., Schmidt T.M. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 103715 (7).Kresse G., Hafner J. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49. P. 14251.Kresse G., Hafner J. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49. P. 14251.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.