Многослойные системы металлизации субмикронных интегральных схем

Аннотация

Cоздание многоуровневой системы межсоединений в субмикронных интегральных схемах позволяет уменьшить электрическое сопротивление токопроводящих дорожек, паразитную емкость между проводниками и ускорить быстродействие приборов микроэлектроники. Предлагается формировать поперечный профиль токоведущих дорожек системы многослойной системы металлизации в форме равнобочной трапеции с углами при нижнем основании, равными 75º-85º. Оптимальные углы наклона боковых поверхностей токоведущих дорожек обеспечиваются предлагаемыми режимами плазмохимического травления пленки на основе сплава алюминия. Травление пленки сплава на основе алюминия проводят в плазме газовой смеси BCl3, Cl2 и N2 при давлении 150–250 мТорр, плотности мощности 1,6–2,2 Вт/см² со следующим содержанием компонентов, об.%: BCl3 – 50–65; Cl2 – 25–35; N2 – остальное.