bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИР10.35596/1729-7648-2022-20-7-36-42bsuir-3498Research ArticleЭЛЕКТРОНИКА, РАДИОФИЗИКА, РАДИОТЕХНИКА, ИНФОРМАТИКАELECTRONICS, RADIOPHYSICS, RADIOENGINEERING, INFORMATICSМногослойные системы металлизации субмикронных интегральных схемMultilayer Metallization Systems of Submicron Integrated CircuitsЕмельяновВ. В.EmelyanovV. V.

Емельянов Виктор Викторович - аспирант кафедры электроннойтехники и технологии 

220013, Республика Беларусь, г. Минск, ул. П. Бровки, 6Тел. + 375 29 688-75-76 

Emelyanov Viкtor Viktorovich., Postgraduate at the Department of Electronic Engineering and Technology

 220013, Republic of Belarus, Minsk, P. Brovka St., 6Tel. + 375 29 688-75-76 

emeljnov@bk.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusian State University of Informatics and Radioelectronics2022101220222073642Copyright © Емельянов В.В., 20222022Емельянов В.В.Emelyanov V.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/3498

Cоздание многоуровневой системы межсоединений в субмикронных интегральных схемах позволяет уменьшить электрическое сопротивление токопроводящих дорожек, паразитную емкость между проводниками и ускорить быстродействие приборов микроэлектроники. Предлагается формировать поперечный профиль токоведущих дорожек системы многослойной системы металлизации в форме равнобочной трапеции с углами при нижнем основании, равными 75º-85º. Оптимальные углы наклона боковых поверхностей токоведущих дорожек обеспечиваются предлагаемыми режимами плазмохимического травления пленки на основе сплава алюминия. Травление пленки сплава на основе алюминия проводят в плазме газовой смеси BCl3, Cl2 и N2 при давлении 150–250 мТорр, плотности мощности 1,6–2,2 Вт/см2 со следующим содержанием компонентов, об.%: BCl3 – 50–65; Cl2 – 25–35; N2 – остальное.

The creation of a multilevel system of interconnections in submicron integrated circuits makes it possible to reduce the electrical resistance of conductive tracks, parasitic capacitance between conductors, and increase the speed of microelectronic devices. It is proposed to form a transverse profile of the current-carrying tracks of a multilayer metallization system in the form of an isosceles trapezoid with angles at the lower base equal to 75–85 degrees. Etching of an aluminum-based alloy film is carried out in a plasma gas mixture of BCl3, Cl2, and N2 at the pressure of 150–250 mTorr and power density of 1.6–2.2 W/cm2, with the following component content, vol.%: BCl3 – 50–65; Cl2 – 25–35; N2 – the rest.

субмикронная интегральная схемамногослойная токопроводящая системаалюминиевая металлизацияsubmicron integrated circuitmultilayer conductive systemaluminum metallizationReferencesИнновационные технологии и оборудование субмикронной электроники / А. П. Достанко [и др.], под ред. А. П. Достанко. Минск: Белар. навука, 2020. 260 с.Dostanko A. P. et al. (2020) Innovative Technologies and Equipment of Submicron Electronics. Minsk: Belarusian Science Publ. 260 (in Russian).Емельянов, В. В. Повышение устойчивости к стресс-миграции пленочных структур на основе алюминия в микроэлектронике / В. В. Емельянов // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2020. № 1. C. 152–159.Emelyanov V. V. (2020) Increasing the Resistance to Stress Migration of Film Structures Based on Aluminum in Microelectronics. Electronics: Science, Technology, Business. (1), 152–159 (in Russian).Емельянов, В. В. Многослойные токопроводящие пленки на основе алюминия для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / В. В. Емельянов, В. А. Емельянов, В. В. Баранов // Весцi Нацыянальнай акадэмii навук Беларуси. Сер. Фiз.-тэхн. навук. 2020. Т. 65, № 2. С. 170–176.Emelyanov V. V., Emelyanov V. A., Baranov V. V. (2020) Multilayer Conductive Films Based on Aluminum for Semiconductor Devices and Integrated Circuits. Vestsi Natsiyanal’nai Akademii Navuk Belarusi. Ser. Phis.-Techn. Navuk. 65 (2), 170–176 (in Russian).Турцевич, А. С. Формирование из газовой фазы функциональных слоев интегральных микросхем / А. С. Турцевич, В. А. Емельянов. Минск: Интегралполиграф, 2007. 224 с.Turtsevich A. S., Emelyanov V. V. (2007) Formation of Functional Layers of Integrated Circuits from the Gas Phase. Minsk, Integralpolygraph Publ. 224 (in Russian).Григорьев, Ф. И. Плазмохимическое и ионное химическое травление в технологии микроэлектроники / Ф. И. Григорьев. М.: МГИЭиМ, 2003. 48 с.Grigoriev F. I. (2003) Plasma-Chemical and Ion-Chemical Etching in Microelectronic Technology. Moskov, MGIEiM Publ. 48 (in Russian).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.