Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Lovshenko I.Y., Voronov A.Y., Roshchenko P.S., Ternov R.E., Galkin Y.D., Kunts A.V., Stempitsky V.R., Bi J. The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs. Доклады БГУИР. 2021;19(8):81-86. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-8-81-86

For citation:


Lovshenko I.Yu., Voronov A.Yu., Roshchenko P.S., Ternov R.E., Galkin Y.D., Kunts A.V., Stempitsky V.R., Bi J. The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs. Doklady BGUIR. 2021;19(8):81-86. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-8-81-86

Просмотров: 18


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)