РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТЕРБИЯ В КСЕРОГЕЛЕ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННОГО В ПОРАХ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ
Аннотация
Золь-гель методом синтезированы легированные тербием слои ксерогеля оксида алюминия в порах пленки пористого анодного оксида алюминия толщиной 1 мкм с диаметром пор 160-180 нм, выращенной на кремнии. Сформированные структуры демонстрируют рентгенолюминесценцию тербия с характерными полосами, соответствующими термам трехвалентного тербия. Установлено, что максимальная рентгенолюминесценция тербия в сформированных структурах наблюдается при ориентации детектора в направлении вдоль каналов пор анодного оксида алюминия. Обсуждаются способы повышения рентгенолюминесценции в структуре ксерогель/пористый анодный оксид алюминия.
Об авторе
Н. В. Гапоненко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Wakefield G., Keron H.A., Dobson P.J. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 1999. Vol. 60. P. 583-589.
2. Amekura H., Eckau A., Carius R. et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84, №7. P. 3867-3871.
3. Gaponenko N.V., Davidson J.A., Hamilton B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76, №8. P. 1006-1008.
4. Brinker C.J., Scherer G.W. Sol-gel science: the physics and chemistry of sol-gel processing. New York, 1990.
5. Гапоненко Н.В. // Беларуская навука. 2003.
6. Podhorodecki A., Gaponenko N.V., Banski M. et al. // ECS Transactions. 2010. Vol. 28, №3. P. 81-88.
7. Gaponenko N.V., Molchan I.S., Tsyrkunov D.A. et al. // Microelectronic Engineering. 2005. Vol. 81. P. 255-261.
8. Lutich A.A., Gaponenko S.V., Gaponenko N.V. et al. // Nano Lett. 2004. Vol. 4, №9. P. 1755-1758.
Рецензия
Для цитирования:
Гапоненко Н.В. РЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТЕРБИЯ В КСЕРОГЕЛЕ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННОГО В ПОРАХ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ. Доклады БГУИР. 2012;(3):30-33.
Просмотров:
544
Послать статью по эл. почте 