bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-23Research ArticleСтатьиРЕНТГЕНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ТЕРБИЯ В КСЕРОГЕЛЕ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ, СФОРМИРОВАННОГО В ПОРАХ АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯГапоненкоН. В.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201203062019033033Copyright © Гапоненко Н.В., 20192019Гапоненко Н.В.Гапоненко Н.В.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/23

Золь-гель методом синтезированы легированные тербием слои ксерогеля оксида алюминия в порах пленки пористого анодного оксида алюминия толщиной 1 мкм с диаметром пор 160-180 нм, выращенной на кремнии. Сформированные структуры демонстрируют рентгенолюминесценцию тербия с характерными полосами, соответствующими термам трехвалентного тербия. Установлено, что максимальная рентгенолюминесценция тербия в сформированных структурах наблюдается при ориентации детектора в направлении вдоль каналов пор анодного оксида алюминия. Обсуждаются способы повышения рентгенолюминесценции в структуре ксерогель/пористый анодный оксид алюминия.

тербийоксид алюминиялюминесценциязоль-гельReferencesWakefield G., Keron H.A., Dobson P.J. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 1999. Vol. 60. P. 583-589.Wakefield G., Keron H.A., Dobson P.J. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 1999. Vol. 60. P. 583-589.Amekura H., Eckau A., Carius R. et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84, №7. P. 3867-3871.Amekura H., Eckau A., Carius R. et al. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84, №7. P. 3867-3871.Gaponenko N.V., Davidson J.A., Hamilton B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76, №8. P. 1006-1008.Gaponenko N.V., Davidson J.A., Hamilton B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76, №8. P. 1006-1008.Brinker C.J., Scherer G.W. Sol-gel science: the physics and chemistry of sol-gel processing. New York, 1990.Brinker C.J., Scherer G.W. Sol-gel science: the physics and chemistry of sol-gel processing. New York, 1990.Гапоненко Н.В. // Беларуская навука. 2003.Гапоненко Н.В. // Беларуская навука. 2003.Podhorodecki A., Gaponenko N.V., Banski M. et al. // ECS Transactions. 2010. Vol. 28, №3. P. 81-88.Podhorodecki A., Gaponenko N.V., Banski M. et al. // ECS Transactions. 2010. Vol. 28, №3. P. 81-88.Gaponenko N.V., Molchan I.S., Tsyrkunov D.A. et al. // Microelectronic Engineering. 2005. Vol. 81. P. 255-261.Gaponenko N.V., Molchan I.S., Tsyrkunov D.A. et al. // Microelectronic Engineering. 2005. Vol. 81. P. 255-261.Lutich A.A., Gaponenko S.V., Gaponenko N.V. et al. // Nano Lett. 2004. Vol. 4, №9. P. 1755-1758.Lutich A.A., Gaponenko S.V., Gaponenko N.V. et al. // Nano Lett. 2004. Vol. 4, №9. P. 1755-1758.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.