Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕ

Полный текст:

Аннотация

Приводятся результаты исследований фотовольтаического эффекта, впервые обнаруженного авторами в легированном кремнии после облучения импульсами компрессионной плазмы. Определены оптимальные режимы обработки, обеспечивающие максимальное значение фотоЭДС. Установлены зависимости фотоЭДС от дозы облучения высокоэнергетическими электронами.

Об авторах

В. В. Углов
Белорусский государственный университет
Беларусь


Н. Т. Квасов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. М. Асташинский
Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ
Беларусь


Ю. А. Петухов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


А. М. Кузьмицкий
Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ
Беларусь


И. Л. Дорошевич
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


С. В. Ластовский
Научно-практический центр НАНБ по материаловедению, Минск, Беларусь
Беларусь


Список литературы

1. Асташинский В.М., Дорошевич И.Л., Квасов Н.Т. и др. // Тез. докл. XLI Междунар. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 2011. С. 119.

2. Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М., 1988.


Для цитирования:


Углов В.В., Квасов Н.Т., Асташинский В.М., Петухов Ю.А., Кузьмицкий А.М., Дорошевич И.Л., Ластовский С.В. РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕ. Доклады БГУИР. 2013;(2):21-25.

For citation:


Uglov V.V., Kvasov N.T., Astashynski V.M., Petukhou Yu.A., Kuzmitski A.M., Doroshevich I.L., Lastovski S.B. RADIATION RESISTANCE OF SILICON NANOSTRUCTURED PHOTOVOLTAIC ELEMENTS FORMED IN COMPRESSION PLASMA. Doklady BGUIR. 2013;(2):21-25. (In Russ.)

Просмотров: 54


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)