РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕ
Аннотация
Приводятся результаты исследований фотовольтаического эффекта, впервые обнаруженного авторами в легированном кремнии после облучения импульсами компрессионной плазмы. Определены оптимальные режимы обработки, обеспечивающие максимальное значение фотоЭДС. Установлены зависимости фотоЭДС от дозы облучения высокоэнергетическими электронами.
Для цитирования:
Углов В.В., Квасов Н.Т., Асташинский В.М., Петухов Ю.А., Кузьмицкий А.М., Дорошевич И.Л., Ластовский С.В. РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕ. Доклады БГУИР. 2013;(2):21-25.
For citation:
Uglov V.V., Kvasov N.T., Astashynski V.M., Petukhou Yu.A., Kuzmitski A.M., Doroshevich I.L., Lastovski S.B. RADIATION RESISTANCE OF SILICON NANOSTRUCTURED PHOTOVOLTAIC ELEMENTS FORMED IN COMPRESSION PLASMA. Doklady BGUIR. 2013;(2):21-25. (In Russ.)
Просмотров: 3789
Послать статью по эл. почте 