РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕ
Аннотация
Приводятся результаты исследований фотовольтаического эффекта, впервые обнаруженного авторами в легированном кремнии после облучения импульсами компрессионной плазмы. Определены оптимальные режимы обработки, обеспечивающие максимальное значение фотоЭДС. Установлены зависимости фотоЭДС от дозы облучения высокоэнергетическими электронами.
Об авторах
В. В. Углов
Белорусский государственный университет
Беларусь
Беларусь
Н. Т. Квасов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. М. Асташинский
Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ
Беларусь
Беларусь
Ю. А. Петухов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. М. Кузьмицкий
Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ
Беларусь
Беларусь
И. Л. Дорошевич
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
С. В. Ластовский
Научно-практический центр НАНБ по материаловедению, Минск, Беларусь
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Асташинский В.М., Дорошевич И.Л., Квасов Н.Т. и др. // Тез. докл. XLI Междунар. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 2011. С. 119.
2. Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М., 1988.
Рецензия
Для цитирования:
Углов В.В., Квасов Н.Т., Асташинский В.М., Петухов Ю.А., Кузьмицкий А.М., Дорошевич И.Л., Ластовский С.В. РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕ. Доклады БГУИР. 2013;(2):21-25.
For citation:
Uglov V.V., Kvasov N.T., Astashynski V.M., Petukhou Yu.A., Kuzmitski A.M., Doroshevich I.L., Lastovski S.B. RADIATION RESISTANCE OF SILICON NANOSTRUCTURED PHOTOVOLTAIC ELEMENTS FORMED IN COMPRESSION PLASMA. Doklady BGUIR. 2013;(2):21-25. (In Russ.)
Просмотров:
4617
Послать статью по эл. почте 