bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-152Research ArticleСтатьиРАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ, ПОЛУЧЕННЫХ В КОМПРЕССИОННОЙ ПЛАЗМЕRADIATION RESISTANCE OF SILICON NANOSTRUCTURED PHOTOVOLTAIC ELEMENTS FORMED IN COMPRESSION PLASMAУгловВ. В.UglovV. V.noemail@neicon.ruКвасовН. Т.KvasovN. T.noemail@neicon.ruАсташинскийВ. М.AstashynskiV. M.noemail@neicon.ruПетуховЮ. А.PetukhouYu. A.noemail@neicon.ruКузьмицкийА. М.KuzmitskiA. M.noemail@neicon.ruДорошевичИ. Л.DoroshevichI. L.noemail@neicon.ruЛастовскийС. В.LastovskiS. B.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университетBelarusБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarusИнститут физики им. Б.И. Степанова НАНБBelarusНаучно-практический центр НАНБ по материаловедению, Минск, БеларусьBelarus201303062019022125Copyright © Углов В.В., Квасов Н.Т., Асташинский В.М., Петухов Ю.А., Кузьмицкий А.М., Дорошевич И.Л., Ластовский С.В., 20192019Углов В.В., Квасов Н.Т., Асташинский В.М., Петухов Ю.А., Кузьмицкий А.М., Дорошевич И.Л., Ластовский С.В.Uglov V.V., Kvasov N.T., Astashynski V.M., Petukhou Y.A., Kuzmitski A.M., Doroshevich I.L., Lastovski S.B.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/152

Приводятся результаты исследований фотовольтаического эффекта, впервые обнаруженного авторами в легированном кремнии после облучения импульсами компрессионной плазмы. Определены оптимальные режимы обработки, обеспечивающие максимальное значение фотоЭДС. Установлены зависимости фотоЭДС от дозы облучения высокоэнергетическими электронами.

Photovoltaic effect in silicon doped by the action of compression plasma pulses is investigated for the first time. Plasma treatment parameters providing maximum values of photo-emf are optimized. Dependences of photo-emf on the dose of electron high-energy post-irradiation are studied.

фотовольтаический эффекткремнийрадиационные дефектыкомпрессионная плазмаReferencesАсташинский В.М., Дорошевич И.Л., Квасов Н.Т. и др. // Тез. докл. XLI Междунар. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 2011. С. 119.Асташинский В.М., Дорошевич И.Л., Квасов Н.Т. и др. // Тез. докл. XLI Междунар. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 2011. С. 119.Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М., 1988.Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М., 1988.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.