Semiconductor image converter
Abstract
The structural scheme, band diagram, working principle and electrical properties of semiconductor image converter made with a p-n Si-ZnSe matrix structure are reviewed. It’s shown that the p-n Si-ZnSe photodiode array can be used as a sensing device and optical radiation introscopes.
About the Authors
V. A. Sychic
Белорусский национальный технический университет
Belarus
Belarus
N. N. Ulasyuk
Белорусский национальный технический университет
Belarus
Belarus
References
1. Сычик В.А. Измерительные преобразователи излучений на основе полупроводниковых приборных структур. Минск, 1991.
2. Махнат В.П. // Микроэлектроника. 1998. №2. С. 90-92.
Review
For citations:
Sychic V.A., Ulasyuk N.N. Semiconductor image converter. Doklady BGUIR. 2012;(7):121-124. (In Russ.)
Views: 336
Email this article 