МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ
Аннотация
Приведены результаты моделирования процессов переноса электронов в трехмерной структуре из 4H-SiC карбида кремния с использованием метода Монте-Карло. Использование материала 4H-SiC по сравнению с другими модификациями карбида кремния позволяет получить ряд преимуществ при изготовлении приборов и последующей эксплуатации. Получены зависимости средней дрейфовой скорости, средней энергии электронов, подвижности электронов, а также коэффициента диффузии от напряженности электрического поля.
Об авторах
В. В. Муравьев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. Н. Мищенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Silicon carbide high-power devices / C.E. Weitzel et. al. // IEEE Transaction Electron Devices. 1996. Vol. 43, P. 1732-1741.
2. Shenoy J.N., Cooper J.A., Melloch M.R. High-Voltage Double-Implanted Power MOSFETs in 6H-SiC. IEEE Electron Dev. Lett. 1997. Vol. 18, № 3. P. 93-105.
3. Vasileska D., Goodnick S.M. Computational Electronics. Morgan and Claypool, 2006. 216 p.
4. Persson C., Lindefelt U. Dependence of energy gaps and effective masses on atomic positions in hexagonal SiC. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 86. № 11. P. 5036-5039.
5. Хокни Р., Иствуд Дж. Численное моделирование методом частиц. М.: Мир, 1987. 640 c.
6. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 c.
7. Fawcett W., Boardman D.A., Swain S. Monte Carlo determination of electron transport properties in gallium arsenide // Journal of Physical Chemistry Solids. 1970. Vol. 31. P. 1963-1990.
8. Khan I.A., Cooper J.A. Measurement of High-Field Electron Transport in Silicon Carbide. IEEE Transaction on Electron Devices. 2000. Vol. 47, № 2. P. 269-273.
Рецензия
Для цитирования:
Муравьев В.В., Мищенко В.Н. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ. Доклады БГУИР. 2017;(2):53-57.
For citation:
Murav'ev V.V., Mishchenka V.N. Modeling of electrons transfer in silicon carbide semiconductor structures. Doklady BGUIR. 2017;(2):53-57. (In Russ.)
Просмотров: 472
Послать статью по эл. почте 