Приведены результаты моделирования процессов переноса электронов в трехмерной структуре из 4H-SiC карбида кремния с использованием метода Монте-Карло. Использование материала 4H-SiC по сравнению с другими модификациями карбида кремния позволяет получить ряд преимуществ при изготовлении приборов и последующей эксплуатации. Получены зависимости средней дрейфовой скорости, средней энергии электронов, подвижности электронов, а также коэффициента диффузии от напряженности электрического поля.
The results of the simulation of electron transfer processes in the three-dimensional structure of 4H-SiC silicon carbide are presented using the Monte Carlo method. The dependence of the average drift velocity, average energy and electron mobility of electrons and the diffusion coefficient from the electric field are obtained.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.