Influence of thermal conditions on the reliability and parameters of devices
Abstract
The cooling systems for semiconductor integrated circuits with high degree of integration of microelectronic circuits and electronic devices with high density thermal power based on dielectric fluid and heat pipes are proposed.
References
1. ГОСТ 27.002-2009. Надежность в технике. Термины и определения.
2. Жарких А.П. // Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума: Автореф. дис.. докт. техн. наук. Воронеж, 2005.
3. Шехмейстер Е.И. Технология производства электровакуумных и полупроводниковых приборов. М., 1992.
4. Савенченко В.П. Методы и модели исследования остаточного ресурса изделий радиоэлектронной техники: Дис.. докт. техн. наук. Фрязино, 1999.
5. Алямовский А.А. Инженерные расчеты в Solidworks Simulation. М., 2010.
6. Улитенко А.И., Прадед В.В., Пушкин В.А. // ПТЭ. 2003. № 5. С. 156-159.
7. Улитенко А.И., Прадед В.В., Пушкин В.А. // Холодильная техника, 2003, № 11. С. 14-16.
8. Улитенко А.И. // Электроника. Межвуз. сб. науч. трудов. Рязань, 2003. С. 15-16.
9. Ткаченко Ф.А. Электронные приборы. М., 2011.
10. Прадед В.В., Пушкин В.А. // ПТЭ. 2003. № 5. С. 156-159.
11. Обзор процессоров Intel Core 6-го поколения. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.intel.ru/content/www/ru/ru/pc-upgrades/6th-gen-core-processor-family.html. - Дата доступа: 21.09.2016.
12. Electronics-review. Система водяного охлаждения компьютера. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www.electronics-review.ru/sistema-vodyanogo-oxlazhdeniya-kompyutera. - Дата доступа: 21.09.2016.
13. Аширбаев М.Х., Кулиев Н.А., Атаев А.М. Охлаждающее устройство на основе диэлектрической жидкости и тепловых труб / Патент Республики Туркменистан № 562.
14. Аширбаев М.Х., Кулиев Н.А., Атаев А.М. Способ охлаждения микроэлектронных схем на основе испарения в вакуумных средах / Патент Республики Туркменистан № 630.
Review
For citations:
Ataev A... Influence of thermal conditions on the reliability and parameters of devices. Doklady BGUIR. 2016;(8):65-70. (In Russ.)
Views: 335
Email this article 