ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВРЕМЕНИ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ ПОСЛЕ ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ
Аннотация
Для кристаллов интегральных микросхем (ИМС) энергонезависимой памяти предлагается способ прогнозирования времени хранения информации после отключения питания. Прогнозирование выполняется с использованием ускоренных испытаний, в качестве которых рассматриваются температурные воздействия, сопровождающие технологические операции помещения кристалла в корпус и сборки ИМС. Для комплекса воздействий с учетом всех технологических операций сборки ИМС выполнена оценка коэффициента ускорения испытаний и для нормальных условий эксплуатации кристалла ИМС найдено гарантированное время хранения информации после отключения питания.
Для цитирования:
Плебанович В.И., Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Бурак И.А. ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВРЕМЕНИ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ ПОСЛЕ ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ. Доклады БГУИР. 2016;(8):10-16.
For citation:
Plebanovich V.I., Borovikov S.M., Shneiderov E.N., Burak I.A. PREDICTION OF INFORMATION STORAGE TIME AFTER POWER OFF FOR INTEGRATED CIRCUITS OF EEPROM. Doklady BGUIR. 2016;(8):10-16. (In Russ.)
Просмотров:
2253
Послать статью по эл. почте 