ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВРЕМЕНИ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ ПОСЛЕ ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ
Аннотация
Для кристаллов интегральных микросхем (ИМС) энергонезависимой памяти предлагается способ прогнозирования времени хранения информации после отключения питания. Прогнозирование выполняется с использованием ускоренных испытаний, в качестве которых рассматриваются температурные воздействия, сопровождающие технологические операции помещения кристалла в корпус и сборки ИМС. Для комплекса воздействий с учетом всех технологических операций сборки ИМС выполнена оценка коэффициента ускорения испытаний и для нормальных условий эксплуатации кристалла ИМС найдено гарантированное время хранения информации после отключения питания.
Об авторах
В. И. Плебанович
Научно-производственное объединение «Планар»
Беларусь
Беларусь
С. М. Боровиков
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Е. Н. Шнейдеров
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
И. А. Бурак
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Технические условия АДБК.431200.197 ТУ. Микросхемы интегральные серии ЭКР1568, К1568, ЭКФ1568, IL9005N, INA84C122D, INA84C641NS-168, INA84C641NS-268, INA84C641NS-368, INA84C641NS-468, INF8594EN, INA8583N, INF8582EN-2, INF85116-3N.
2. Технические условия РБ 10024905.061-2003 Микросхемы интегральные IN24LC04BN, IN24LC04BD.
3. Отраслевой руководящий документ РД 11 0755-90. Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.
4. Боровиков С.М. Статистическое прогнозирование для отбраковки потенциально ненадежных изделий электронной техники. М., 2013.
5. Горлов М.И. Физические основы надежности интегральных микросхем. Воронеж, 1992.
Рецензия
Для цитирования:
Плебанович В.И., Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Бурак И.А. ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВРЕМЕНИ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ ПОСЛЕ ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ. Доклады БГУИР. 2016;(8):10-16.
For citation:
Plebanovich V.I., Borovikov S.M., Shneiderov E.N., Burak I.A. PREDICTION OF INFORMATION STORAGE TIME AFTER POWER OFF FOR INTEGRATED CIRCUITS OF EEPROM. Doklady BGUIR. 2016;(8):10-16. (In Russ.)
Просмотров: 1388
Послать статью по эл. почте 