bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-809Research ArticleСтатьиПРОГНОЗИРОВАНИЕ ВРЕМЕНИ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ ПОСЛЕ ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИPREDICTION OF INFORMATION STORAGE TIME AFTER POWER OFF FOR INTEGRATED CIRCUITS OF EEPROMПлебановичВ. И.PlebanovichV. I.noemail@neicon.ruБоровиковС. М.BorovikovS. M.noemail@neicon.ruШнейдеровЕ. Н.ShneiderovE. N.noemail@neicon.ruБуракИ. А.BurakI. A.noemail@neicon.ruНаучно-производственное объединение «Планар»BelarusБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201603062019081016Copyright © Плебанович В.И., Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Бурак И.А., 20192019Плебанович В.И., Боровиков С.М., Шнейдеров Е.Н., Бурак И.А.Plebanovich V.I., Borovikov S.M., Shneiderov E.N., Burak I.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/809

Для кристаллов интегральных микросхем (ИМС) энергонезависимой памяти предлагается способ прогнозирования времени хранения информации после отключения питания. Прогнозирование выполняется с использованием ускоренных испытаний, в качестве которых рассматриваются температурные воздействия, сопровождающие технологические операции помещения кристалла в корпус и сборки ИМС. Для комплекса воздействий с учетом всех технологических операций сборки ИМС выполнена оценка коэффициента ускорения испытаний и для нормальных условий эксплуатации кристалла ИМС найдено гарантированное время хранения информации после отключения питания.

For crystals of EEPROM integrated circuits (ICs) a method for predicting of information storage time after the power is turned off is provided. Prediction is performed using the accelerated tests, which are considered as the temperature effects that accompany the technological operations in the premises of the crystal body and the ICs assembly. All technological IC assembly operations have complex effect. For this effect, estimated coefficient of acceleration tests is founded. Also for normal operating conditions of the ICs it's found the guaranteed time of information storage after power off.

интегральные микросхемыэнергонезависимая памятьвремя хранения информацииотключение питанияintegrated circuitsEEPROMinformation storage timepower is turned offReferencesТехнические условия АДБК.431200.197 ТУ. Микросхемы интегральные серии ЭКР1568, К1568, ЭКФ1568, IL9005N, INA84C122D, INA84C641NS-168, INA84C641NS-268, INA84C641NS-368, INA84C641NS-468, INF8594EN, INA8583N, INF8582EN-2, INF85116-3N.Технические условия АДБК.431200.197 ТУ. Микросхемы интегральные серии ЭКР1568, К1568, ЭКФ1568, IL9005N, INA84C122D, INA84C641NS-168, INA84C641NS-268, INA84C641NS-368, INA84C641NS-468, INF8594EN, INA8583N, INF8582EN-2, INF85116-3N.Технические условия РБ 10024905.061-2003 Микросхемы интегральные IN24LC04BN, IN24LC04BD.Технические условия РБ 10024905.061-2003 Микросхемы интегральные IN24LC04BN, IN24LC04BD.Отраслевой руководящий документ РД 11 0755-90. Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.Отраслевой руководящий документ РД 11 0755-90. Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.Боровиков С.М. Статистическое прогнозирование для отбраковки потенциально ненадежных изделий электронной техники. М., 2013.Боровиков С.М. Статистическое прогнозирование для отбраковки потенциально ненадежных изделий электронной техники. М., 2013.Горлов М.И. Физические основы надежности интегральных микросхем. Воронеж, 1992.Горлов М.И. Физические основы надежности интегральных микросхем. Воронеж, 1992.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.