Для цитирования:

Мищенко В.Н. ТРЕХМЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК GaAs ТРАНЗИСТОРОВ С СУБМИКРОННОЙ ДЛИНОЙ ЗАТВОРА. Доклады БГУИР. 2016;(6):113-116.

For citation:

Mishchenka V.N. THREE DIMENsION MODELLING OF OUTPUT CHARACTERISTICS OF GALLIUM ARSENIDE TRANSISTORS with submicron length of the gate. Doklady BGUIR. 2016;(6):113-116. (In Russ.)