ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОДЛОЖЕК АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ КАК ОСНОВЫ ПОРОГОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ
Аннотация
Об авторах
И. В. ГасенковаБеларусь
Н. И. Мухуров
Беларусь
М. В. Ясин
Беларусь
Список литературы
1. Mukhurov N.I. Gasenkova I.V., Belyi V.N. // Proc. Sixth European Workshop on Structural Health Monitoring. Dresden, July 3-6, 2012. P. 400-407.
2. Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Минск, 2002.
3. Sulka G.D. // Nanostructured Materials in Electrochemistry / Edited by Ali Eftekhari. Weinheim, 2008. P. 1-116.
4. Мухуров Н.И. Гасенкова И.В., Остапенко Е.В. // Материалы Междунар. НПК «Оптика неоднородных структур» Могилев, 16-17 февраля 2011 г. С. 109-112.
5. Photoluminescence: Applications, types and efficacy / Ed. Merle A. Case, Bradford C. Stout. New York, 2012.
6. Гасенкова И.В. Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. и др. // Докл. БГУИР. 2013. № 8 (78). С. 108-111.
7. Томашов Н.Д., Тюкина М.Н., Заливалов Ф.П. Толстослойное анодирование алюминия и его сплавов. М., 1968.
8. Мухуров Н.И. Алюмооксидные микро- наноструктуры для микроэлектромеханических систем. Минск, 2004.
9. Мухуров Н.И., Сидоренко Г.А., Мардилович П.П., Лысенко Г.Н. Способ получения диэлектрических деталей для высокотемпературных ВИС / Авторское свидетельство СССР № 1762334.
10. Chen J.H., Huang C.P., Chao C.G. et. al. // Appl. Phys A. 2006. № 84. P. 297.
11. Nee T.-E., Fang C.-H., Chen Y.-R. et. al. // Thin Solid Films. 2009. Vol. 518, № 5. P. 1439-1442.
12. Кортов В.С. // ФТТ. 2003. Т. 45, вып. 7. С. 1202-1208.
Рецензия
Для цитирования:
Гасенкова И.В., Мухуров Н.И., Ясин М.В. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОДЛОЖЕК АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ КАК ОСНОВЫ ПОРОГОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ. Доклады БГУИР. 2016;(2):114-118.
For citation:
Gasenkova I.V., Mukhurov N.I., Vahioh Ya.M. THE OPTICAL PROPERTIES OF ANODIC ALUMINA SUBSTRATES AS THE BASIS OF THRESHOLD DETECTORS. Doklady BGUIR. 2016;(2):114-118. (In Russ.)