bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-639Research ArticleСтатьиОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОДЛОЖЕК АНОДНОГО ОКСИДА АЛЮМИНИЯ КАК ОСНОВЫ ПОРОГОВЫХ ДЕТЕКТОРОВTHE OPTICAL PROPERTIES OF ANODIC ALUMINA SUBSTRATES AS THE BASIS OF THRESHOLD DETECTORSГасенковаИ. В.GasenkovaI. V.noemail@neicon.ruМухуровН. И.MukhurovN. I.noemail@neicon.ruЯсинМ. В.VahiohYa. M.noemail@neicon.ruГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника»BelarusБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus20160306201902114118Copyright © Гасенкова И.В., Мухуров Н.И., Ясин М.В., 20192019Гасенкова И.В., Мухуров Н.И., Ясин М.В.Gasenkova I.V., Mukhurov N.I., Vahioh Y.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/639

Описываются результаты исследования оптических и фотолюминесцентных свойств анодного оксида алюминия, сформированного в кислотных электролитах и подвергнутого высокотемпературной термообработке. Установлено, что фотолюминесцентные свойства анодного оксида алюминия определяются вакансиями кислорода с отличающимися значениями зарядовых состояний и примесями в виде остатков кислот. В качестве основы пороговых детекторов с точки зрения механической прочности предпочтительны подложки, сформированные в щавелевокислом электролите и модифицированные термообработкой при 800 °С.

The results of optical and photoluminescence properties of anodic alumina formed in the acidic electrolyte and subjected to high-temperature heat treatment are described in article. It was found that the photoluminescence properties of anodic alumina determined by the oxygen vacancies with different values of the charge states and impurities in the form of acid residues. As a basis of threshold detectors in terms of the mechanical strength the substrates formed in the oxalic electrolyte and modified by heat treatment at 800 °C are preferred.

анодный оксид алюминиякислотный электролиттермообработкаоптические и фотолюминесцентные свойстваanodic aluminaacidic electrolytehigh-temperature heat treatmentoptical and photoluminescence propertiesReferencesMukhurov N.I. Gasenkova I.V., Belyi V.N. // Proc. Sixth European Workshop on Structural Health Monitoring. Dresden, July 3-6, 2012. P. 400-407.Mukhurov N.I. Gasenkova I.V., Belyi V.N. // Proc. Sixth European Workshop on Structural Health Monitoring. Dresden, July 3-6, 2012. P. 400-407.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Минск, 2002.Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. Микроструктуры на основе анодной алюмооксидной технологии. Минск, 2002.Sulka G.D. // Nanostructured Materials in Electrochemistry / Edited by Ali Eftekhari. Weinheim, 2008. P. 1-116.Sulka G.D. // Nanostructured Materials in Electrochemistry / Edited by Ali Eftekhari. Weinheim, 2008. P. 1-116.Мухуров Н.И. Гасенкова И.В., Остапенко Е.В. // Материалы Междунар. НПК «Оптика неоднородных структур» Могилев, 16-17 февраля 2011 г. С. 109-112.Мухуров Н.И. Гасенкова И.В., Остапенко Е.В. // Материалы Междунар. НПК «Оптика неоднородных структур» Могилев, 16-17 февраля 2011 г. С. 109-112.Photoluminescence: Applications, types and efficacy / Ed. Merle A. Case, Bradford C. Stout. New York, 2012.Photoluminescence: Applications, types and efficacy / Ed. Merle A. Case, Bradford C. Stout. New York, 2012.Гасенкова И.В. Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. и др. // Докл. БГУИР. 2013. № 8 (78). С. 108-111.Гасенкова И.В. Лыньков Л.М., Мухуров Н.И. и др. // Докл. БГУИР. 2013. № 8 (78). С. 108-111.Томашов Н.Д., Тюкина М.Н., Заливалов Ф.П. Толстослойное анодирование алюминия и его сплавов. М., 1968.Томашов Н.Д., Тюкина М.Н., Заливалов Ф.П. Толстослойное анодирование алюминия и его сплавов. М., 1968.Мухуров Н.И. Алюмооксидные микро- наноструктуры для микроэлектромеханических систем. Минск, 2004.Мухуров Н.И. Алюмооксидные микро- наноструктуры для микроэлектромеханических систем. Минск, 2004.Мухуров Н.И., Сидоренко Г.А., Мардилович П.П., Лысенко Г.Н. Способ получения диэлектрических деталей для высокотемпературных ВИС / Авторское свидетельство СССР № 1762334.Мухуров Н.И., Сидоренко Г.А., Мардилович П.П., Лысенко Г.Н. Способ получения диэлектрических деталей для высокотемпературных ВИС / Авторское свидетельство СССР № 1762334.Chen J.H., Huang C.P., Chao C.G. et. al. // Appl. Phys A. 2006. № 84. P. 297.Chen J.H., Huang C.P., Chao C.G. et. al. // Appl. Phys A. 2006. № 84. P. 297.Nee T.-E., Fang C.-H., Chen Y.-R. et. al. // Thin Solid Films. 2009. Vol. 518, № 5. P. 1439-1442.Nee T.-E., Fang C.-H., Chen Y.-R. et. al. // Thin Solid Films. 2009. Vol. 518, № 5. P. 1439-1442.Кортов В.С. // ФТТ. 2003. Т. 45, вып. 7. С. 1202-1208.Кортов В.С. // ФТТ. 2003. Т. 45, вып. 7. С. 1202-1208.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.