Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ПОРИСТЫХ ОКСИДОВ АЛЮМИНИЯ

Полный текст:

Аннотация

Приводятся результаты использования пористых оксидов алюминия (ПОА), которые формируются с использованием электрохимического процесса анодирования. Широкое применение ПОА находят в микроэлектронике (анодированные алюминиевые основания, системы многоуровневых межсоединений, алюминиевые корпуса для БИС и ГИМС). Эти оксиды также успешно используются для создания прецизионных мембран, световых экранов, светодиодных устройств, биомолекулярных структур, микрополяризаторов, микроканальных электронных умножителей, шаблонов, солнечных элементов и др.

Об авторах

В. А. Сокол
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


В. А. Яковцева
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Д. Л. Шиманович
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Сокол В.А. Дис. доктора техн. наук. Мн. МРТИ, 1988.

2. Лабунов В.А., Сокол В.А. Техника средств связи. 1988. Вып. 3. С. 30-39.

3. Сокол В.А., Воробьева А.И., Игнашев Е.П. Патент РБ №1998114. 1998.

4. Labunov V.A., Sokol V.A., Parkun V.M. et al. Pat. USA №5580825. 1993.

5. Lezenes S., Sokol V.A., Labunov V.A. Pat. USA №6069070. 2000.

6. Sokol V.A., Parkun V.M., Vorobyova A.I. et al. Pat. USA №5880021. 1999.

7. Сокол В.А. // Докл. БГУИР. 2004. №3. C. 18-26.

8. Cокол В.А. // Радиотехника и электроника. 1999. Вып. 23. С. 145-153.

9. Jtaya K., Sugawara S., Arai K.et al. // Engineering of Japan. 1984. Vol. 17, №5

10. Ryo J., Ko E., Kang J. et al. // Nanotechnol. 2007. №7 (11). P. 4190-4193.

11. Sokol V., Gaponenko S., Yakovtseva V. et al. // 12-th Internat. Conf. «Nano-Design, Tecnology, Computer Simulations», June 23-27. 2008.

12. Yakovtseva V., Litvinovich G., Sokol V. // «Physics Chemistry and Application of Nanostructures» May 26-29. 2009.

13. Bocchetta P., Conciauro F., Quarto F. et al. // Solid State Electrochemistry. 2007. Vol. 11, № 9.

14. Suheil F. Abdo et al. Pat. USA №6.299.995. 2001.

15. Sharma G., Pishko M., Grimes C. // J. of Materials Science. 2007. Vol. 42, №13.

16. Hui Wang and Haowei Wang. Applied Surface Science. Vol. 249, Jssues 1-4, 15 August 2005. P. 151-156.

17. Уэмия С., Хатакаяма Н., Кадзивара М. и др. // Хемен гидзюцу. 1997. Т. 48, №4.

18. Seung-Man Yang et al. Pat. USA №5.782.959. 1998.

19. Anthony Yu-Chung Ku et al. Pat. USA №7.396.382. 2008.

20. Miller S.J. et al. Pat. USA №7.138.006. 2006.

21. Engelen C.W.R., Van Leeuwen W.F. Pat. USA №5.591.345. 1997.

22. Kuei-Jang Chao et al. Pat. USA №6.060.415. 2000.

23. Kondo M. et al. Pat. USA №6.159.542. 2000.

24. Садока Е., Сакан Е. // Дэнки кагаку. 1982. Т. 50, №2.

25. Садока Е., Сакан Е. // Дэнки кагаку. 1983. Т. 51, №1.

26. Piero Perlo et al. Pat. USA №7.323.815. 2008.

27. Imanishi M. et al. Pat. USA №5.054.889. 1991.

28. Lambertini V. et al. Pat. USA №7.075.229. 2006.

29. Ping Sheng et al. Pat. USA №5.540.717 B2. 2009.

30. Масуда Х. // Осенний симпозиум Электрохимического общества. 2002. Япония. 2К19.

31. Saito M., Kirihara M., Taniguchi T. et. al. // Appl. Phys. Lett. 1989. 55(7).

32. Emel’yanchik F. et al. // Applied Surface Science. 1997. P. 295-301.

33. Govyadinov J. et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1998. A 419. P. 667-675.

34. Emeliantchik I.F. et al. // Selected Scientific papers of BSU. Minsk. 2001. P. 303-322.

35. Сато С., Хабадзаки Х., Конно Х. // 107 конференция Общества изучения технологий обработки поверхности. 05.02.2003.

36. Сато С., Хабадзаки Х., Конно Х. // 109 конференция Общества изучения технологий обработки поверхности. 06.02.2004.

37. Такадани К. // Аруминиуму Кэнкю Кайси. 2003. №8.

38. Масуда Х., Нисио К., Баба Н. // Хемен гидзюцу. 1992. Т. 43, №8.


Для цитирования:


Сокол В.А., Яковцева В.А., Шиманович Д.Л. ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ПОРИСТЫХ ОКСИДОВ АЛЮМИНИЯ. Доклады БГУИР. 2012;(2):21-27.

Просмотров: 45


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)