bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-6Research ArticleСтатьиОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ПОРИСТЫХ ОКСИДОВ АЛЮМИНИЯСоколВ. А.noemail@neicon.ruЯковцеваВ. А.noemail@neicon.ruШимановичД. Л.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201203062019022127Copyright © Сокол В.А., Яковцева В.А., Шиманович Д.Л., 20192019Сокол В.А., Яковцева В.А., Шиманович Д.Л.Сокол В.А., Яковцева В.А., Шиманович Д.Л.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/6

Приводятся результаты использования пористых оксидов алюминия (ПОА), которые формируются с использованием электрохимического процесса анодирования. Широкое применение ПОА находят в микроэлектронике (анодированные алюминиевые основания, системы многоуровневых межсоединений, алюминиевые корпуса для БИС и ГИМС). Эти оксиды также успешно используются для создания прецизионных мембран, световых экранов, светодиодных устройств, биомолекулярных структур, микрополяризаторов, микроканальных электронных умножителей, шаблонов, солнечных элементов и др.

алюминийэлектрохимическое анодированиепористый оксид алюминиямембранаReferencesСокол В.А. Дис. доктора техн. наук. Мн. МРТИ, 1988.Сокол В.А. Дис. доктора техн. наук. Мн. МРТИ, 1988.Лабунов В.А., Сокол В.А. Техника средств связи. 1988. Вып. 3. С. 30-39.Лабунов В.А., Сокол В.А. Техника средств связи. 1988. Вып. 3. С. 30-39.Сокол В.А., Воробьева А.И., Игнашев Е.П. Патент РБ №1998114. 1998.Сокол В.А., Воробьева А.И., Игнашев Е.П. Патент РБ №1998114. 1998.Labunov V.A., Sokol V.A., Parkun V.M. et al. Pat. USA №5580825. 1993.Labunov V.A., Sokol V.A., Parkun V.M. et al. Pat. USA №5580825. 1993.Lezenes S., Sokol V.A., Labunov V.A. Pat. USA №6069070. 2000.Lezenes S., Sokol V.A., Labunov V.A. Pat. USA №6069070. 2000.Sokol V.A., Parkun V.M., Vorobyova A.I. et al. Pat. USA №5880021. 1999.Sokol V.A., Parkun V.M., Vorobyova A.I. et al. Pat. USA №5880021. 1999.Сокол В.А. // Докл. БГУИР. 2004. №3. C. 18-26.Сокол В.А. // Докл. БГУИР. 2004. №3. C. 18-26.Cокол В.А. // Радиотехника и электроника. 1999. Вып. 23. С. 145-153.Cокол В.А. // Радиотехника и электроника. 1999. Вып. 23. С. 145-153.Jtaya K., Sugawara S., Arai K.et al. // Engineering of Japan. 1984. Vol. 17, №5Jtaya K., Sugawara S., Arai K.et al. // Engineering of Japan. 1984. Vol. 17, №5Ryo J., Ko E., Kang J. et al. // Nanotechnol. 2007. №7 (11). P. 4190-4193.Ryo J., Ko E., Kang J. et al. // Nanotechnol. 2007. №7 (11). P. 4190-4193.Sokol V., Gaponenko S., Yakovtseva V. et al. // 12-th Internat. Conf. «Nano-Design, Tecnology, Computer Simulations», June 23-27. 2008.Sokol V., Gaponenko S., Yakovtseva V. et al. // 12-th Internat. Conf. «Nano-Design, Tecnology, Computer Simulations», June 23-27. 2008.Yakovtseva V., Litvinovich G., Sokol V. // «Physics Chemistry and Application of Nanostructures» May 26-29. 2009.Yakovtseva V., Litvinovich G., Sokol V. // «Physics Chemistry and Application of Nanostructures» May 26-29. 2009.Bocchetta P., Conciauro F., Quarto F. et al. // Solid State Electrochemistry. 2007. Vol. 11, № 9.Bocchetta P., Conciauro F., Quarto F. et al. // Solid State Electrochemistry. 2007. Vol. 11, № 9.Suheil F. Abdo et al. Pat. USA №6.299.995. 2001.Suheil F. Abdo et al. Pat. USA №6.299.995. 2001.Sharma G., Pishko M., Grimes C. // J. of Materials Science. 2007. Vol. 42, №13.Sharma G., Pishko M., Grimes C. // J. of Materials Science. 2007. Vol. 42, №13.Hui Wang and Haowei Wang. Applied Surface Science. Vol. 249, Jssues 1-4, 15 August 2005. P. 151-156.Hui Wang and Haowei Wang. Applied Surface Science. Vol. 249, Jssues 1-4, 15 August 2005. P. 151-156.Уэмия С., Хатакаяма Н., Кадзивара М. и др. // Хемен гидзюцу. 1997. Т. 48, №4.Уэмия С., Хатакаяма Н., Кадзивара М. и др. // Хемен гидзюцу. 1997. Т. 48, №4.Seung-Man Yang et al. Pat. USA №5.782.959. 1998.Seung-Man Yang et al. Pat. USA №5.782.959. 1998.Anthony Yu-Chung Ku et al. Pat. USA №7.396.382. 2008.Anthony Yu-Chung Ku et al. Pat. USA №7.396.382. 2008.Miller S.J. et al. Pat. USA №7.138.006. 2006.Miller S.J. et al. Pat. USA №7.138.006. 2006.Engelen C.W.R., Van Leeuwen W.F. Pat. USA №5.591.345. 1997.Engelen C.W.R., Van Leeuwen W.F. Pat. USA №5.591.345. 1997.Kuei-Jang Chao et al. Pat. USA №6.060.415. 2000.Kuei-Jang Chao et al. Pat. USA №6.060.415. 2000.Kondo M. et al. Pat. USA №6.159.542. 2000.Kondo M. et al. Pat. USA №6.159.542. 2000.Садока Е., Сакан Е. // Дэнки кагаку. 1982. Т. 50, №2.Садока Е., Сакан Е. // Дэнки кагаку. 1982. Т. 50, №2.Садока Е., Сакан Е. // Дэнки кагаку. 1983. Т. 51, №1.Садока Е., Сакан Е. // Дэнки кагаку. 1983. Т. 51, №1.Piero Perlo et al. Pat. USA №7.323.815. 2008.Piero Perlo et al. Pat. USA №7.323.815. 2008.Imanishi M. et al. Pat. USA №5.054.889. 1991.Imanishi M. et al. Pat. USA №5.054.889. 1991.Lambertini V. et al. Pat. USA №7.075.229. 2006.Lambertini V. et al. Pat. USA №7.075.229. 2006.Ping Sheng et al. Pat. USA №5.540.717 B2. 2009.Ping Sheng et al. Pat. USA №5.540.717 B2. 2009.Масуда Х. // Осенний симпозиум Электрохимического общества. 2002. Япония. 2К19.Масуда Х. // Осенний симпозиум Электрохимического общества. 2002. Япония. 2К19.Saito M., Kirihara M., Taniguchi T. et. al. // Appl. Phys. Lett. 1989. 55(7).Saito M., Kirihara M., Taniguchi T. et. al. // Appl. Phys. Lett. 1989. 55(7).Emel’yanchik F. et al. // Applied Surface Science. 1997. P. 295-301.Emel’yanchik F. et al. // Applied Surface Science. 1997. P. 295-301.Govyadinov J. et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1998. A 419. P. 667-675.Govyadinov J. et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. 1998. A 419. P. 667-675.Emeliantchik I.F. et al. // Selected Scientific papers of BSU. Minsk. 2001. P. 303-322.Emeliantchik I.F. et al. // Selected Scientific papers of BSU. Minsk. 2001. P. 303-322.Сато С., Хабадзаки Х., Конно Х. // 107 конференция Общества изучения технологий обработки поверхности. 05.02.2003.Сато С., Хабадзаки Х., Конно Х. // 107 конференция Общества изучения технологий обработки поверхности. 05.02.2003.Сато С., Хабадзаки Х., Конно Х. // 109 конференция Общества изучения технологий обработки поверхности. 06.02.2004.Сато С., Хабадзаки Х., Конно Х. // 109 конференция Общества изучения технологий обработки поверхности. 06.02.2004.Такадани К. // Аруминиуму Кэнкю Кайси. 2003. №8.Такадани К. // Аруминиуму Кэнкю Кайси. 2003. №8.Масуда Х., Нисио К., Баба Н. // Хемен гидзюцу. 1992. Т. 43, №8.Масуда Х., Нисио К., Баба Н. // Хемен гидзюцу. 1992. Т. 43, №8.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.