OPTICAL PERFORMANCES OF SILICON DIOXIDE THIN FILMS RECEIVED BY DIRECT DEPOSITION FROM ION BEAMS
Abstract
Influence of fractional pressure of monosilane and argon intermixture and substrate temperature on optical performances of thin-film coatings from the silicon dioxide, received by direct deposition from ion beams on substrates from a glass and silicon with use of the end Hall accelerator as a ion source is investigated. It is positioned, that the magnification of fractional pressure of monosilane and argon intermixture of results in to growth of deposition rate and a refractivity and decrease in an optical transmission of coatings. Rise in substrate temperature promoted improvement of optical performances of silicon dioxide layers that explains magnification of adatoms mobility and chemical interaction boost between silicon and oxygen.
About the Authors
E. V. Telesh
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
A. P. Dostanko
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
A. Y. Vashurov
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
References
1. Достанко А.П., Бордусов С.В., Залесский В.Г. и др. Технологические процессы и системы в микроэлектронике: плазменные, электронные, электронно-ионно-лучевые, ультразвуковые. Минск, 2009.
2. Nagendra C., Thutupalli G. et al. // Bull. Mater. Sci. 1986. Vol. 8, № 3. P. 351-355.
3. Emiliani G, Scaglione S. // J. Vac. Sci. Technol. 1987. A 5(4). P. 1824-1827.
4. Литвиненко В.В., Родионов В.Е., Родионова Н.А. и др. // Физическая инженерия поверхности. 2011. Т. 9, № 4. С. 346-349.
5. Xiliang H., Jiehua W., Lingnan W. et al. // Appl. Surface Sci. 2008. Vol. 252, P. 1730-1735.
6. Телеш Е.В., Вашуров А.Ю. // Матер. II Всеросс. научн. интернет. конф. с междунар. участием «Спектрометрические методы анализа». Казань, сентябрь 2014 г. С. 154-157.
Review
For citations:
Telesh E.V., Dostanko A.P., Vashurov A.Y. OPTICAL PERFORMANCES OF SILICON DIOXIDE THIN FILMS RECEIVED BY DIRECT DEPOSITION FROM ION BEAMS. Doklady BGUIR. 2015;(8):81-85. (In Russ.)
Views: 330
Email this article 