<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">bsuir</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Доклады БГУИР</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Doklady BGUIR</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1729-7648</issn><issn pub-type="epub">2708-0382</issn><publisher><publisher-name>БГУИР</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">bsuir-598</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫХ ПРЯМЫМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ИОННЫХ ПУЧКОВ</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>OPTICAL PERFORMANCES OF SILICON DIOXIDE THIN FILMS RECEIVED BY DIRECT DEPOSITION FROM ION BEAMS</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Телеш</surname><given-names>Е. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Telesh</surname><given-names>E. V.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Достанко</surname><given-names>А. П.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Dostanko</surname><given-names>A. P.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Вашуров</surname><given-names>А. Ю.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Vashurov</surname><given-names>A. Y.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">noemail@neicon.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники</institution><country>Belarus</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2015</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>03</day><month>06</month><year>2019</year></pub-date><volume>0</volume><issue>8</issue><fpage>81</fpage><lpage>85</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Телеш Е.В., Достанко А.П., Вашуров А.Ю., 2019</copyright-statement><copyright-year>2019</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Телеш Е.В., Достанко А.П., Вашуров А.Ю.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Telesh E.V., Dostanko A.P., Vashurov A.Y.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/598">https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/598</self-uri><abstract><p>Исследовано влияние парциального давления смеси моносилана и аргона и температуры подложки на оптические характеристики тонкопленочных покрытий из диоксида кремния, полученных прямым осаждением из ионных пучков на подложках из стекла и кремния с использованием торцевого холловского ускорителя в качестве источника ионов. Установлено, что увеличение парциального давления смеси моносилана и аргона приводит к росту скорости нанесения и коэффициента преломления и снижению оптического пропускания покрытий. Повышение температуры подложки способствовало улучшению оптических характеристик слоев диоксида кремния, что объясняется увеличением подвижности адатомов и стимулированием химического взаимодействия между кремнием и кислородом.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Influence of fractional pressure of monosilane and argon intermixture and substrate temperature on optical performances of thin-film coatings from the silicon dioxide, received by direct deposition from ion beams on substrates from a glass and silicon with use of the end Hall accelerator as a ion source is investigated. It is positioned, that the magnification of fractional pressure of monosilane and argon intermixture of results in to growth of deposition rate and a refractivity and decrease in an optical transmission of coatings. Rise in substrate temperature promoted improvement of optical performances of silicon dioxide layers that explains magnification of adatoms mobility and chemical interaction boost between silicon and oxygen.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>ионные пучки</kwd><kwd>прямое осаждение</kwd><kwd>торцевой холловский ускоритель</kwd><kwd>диоксид кремния</kwd><kwd>оптические покрытия</kwd><kwd>оптические характеристики</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Достанко А.П., Бордусов С.В., Залесский В.Г. и др. Технологические процессы и системы в микроэлектронике: плазменные, электронные, электронно-ионно-лучевые, ультразвуковые. Минск, 2009.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Достанко А.П., Бордусов С.В., Залесский В.Г. и др. Технологические процессы и системы в микроэлектронике: плазменные, электронные, электронно-ионно-лучевые, ультразвуковые. Минск, 2009.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Nagendra C., Thutupalli G. et al. // Bull. Mater. Sci. 1986. Vol. 8, № 3. P. 351-355.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Nagendra C., Thutupalli G. et al. // Bull. Mater. Sci. 1986. Vol. 8, № 3. P. 351-355.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Emiliani G, Scaglione S. // J. Vac. Sci. Technol. 1987. A 5(4). P. 1824-1827.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Emiliani G, Scaglione S. // J. Vac. Sci. Technol. 1987. A 5(4). P. 1824-1827.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Литвиненко В.В., Родионов В.Е., Родионова Н.А. и др. // Физическая инженерия поверхности. 2011. Т. 9, № 4. С. 346-349.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Литвиненко В.В., Родионов В.Е., Родионова Н.А. и др. // Физическая инженерия поверхности. 2011. Т. 9, № 4. С. 346-349.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Xiliang H., Jiehua W., Lingnan W. et al. // Appl. Surface Sci. 2008. Vol. 252, P. 1730-1735.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Xiliang H., Jiehua W., Lingnan W. et al. // Appl. Surface Sci. 2008. Vol. 252, P. 1730-1735.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Телеш Е.В., Вашуров А.Ю. // Матер. II Всеросс. научн. интернет. конф. с междунар. участием «Спектрометрические методы анализа». Казань, сентябрь 2014 г. С. 154-157.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Телеш Е.В., Вашуров А.Ю. // Матер. II Всеросс. научн. интернет. конф. с междунар. участием «Спектрометрические методы анализа». Казань, сентябрь 2014 г. С. 154-157.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
