CONSTRUCTION AND TECHNOLOGICAL CHARACTERISTICSOF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS SENSORS
Abstract
The development and research of new constructive solutions, materials and technologies for sensor systems production is an actual problem. The transistor with high electron mobility (HEMT) is increasingly being used in such systems. The device-technological simulation of the characteristics of HEMT, based on AlGaN / GaN using different substrate materials has implemented. The influence of the percentage of Al and Ga in combination Alх Gaх-1N on the characteristics of considered unit has studied.
About the Authors
V. S. Volchek
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
D. HA. Dao
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
I. Yu. Lovshenko
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
V. R. Stempitsky
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
References
1. Наука за рубежом. Ежемесячное обозрение. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: www.issras.ru/global_science_review. - Дата доступа: 30.10.2015.
2. Мейджера Дж. К. М. Интеллектуальные сенсорные системы. М., 2011.
3. Васильев А., Данилин В., Жукова Т. // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. №4. С. 68-76.
4. Колотун О. // CHIP NEWS Украина. 2013. № 2 (122). С. 2-6.
5. Nariaki Ikeda, Jiang Li, Sadahiro Kato u.a. // Furukawa Review. 2006. № 29. P. 1-6.
6. Jeong-Sun Moon, Nicholas Prokopuk, Kyung-Ah Son. GaN-based sensor nodes for in situ detection of gase / Patent US 7,403,113 B2.
7. Vitushinsky R. Electrochemical sensor comprising a 2-dimensional electron gas layer (2DEG) and method for electrochemical sensing using such electrochemical sensor / Patent EP 2 479 563 B1.
8. Vinod Kumar Khanna // Frontiers in Sensors (FS). 2013. N3
9. Taking S., MacFarlane D., Wasige E. // Hindawi Publishing Corporation Active and Passive Electronic Components Volume. 2011. Article ID 821305.
10. Victory Process User’s Manual User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: victoryprocess_users.pdf. - Дата доступа: 30.10.2015.te materials.
Review
For citations:
Volchek V.S., Dao D.H., Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R. CONSTRUCTION AND TECHNOLOGICAL CHARACTERISTICSOF WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS SENSORS. Doklady BGUIR. 2015;(7):99-105. (In Russ.)
Views: 1312
Email this article 