Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ

Полный текст:

Аннотация

Эпитаксиальные пленки ZnSe выращены путем термического испарения соединения ZnSe на подложках Si ориентации (111) и (100) с буферным пористым слоем. Кристаллическая структура осаждаемых пленок контролировалась методом рентгеновской дифрактометрии. Морфология пленок изучалась методом растровой электронной микроскопии высокого разрешения. Установлено, что использование пористого буферного слоя позволяет повысить качество пленок по сравнению с пленками, осажденными на монолитный кремний.

Об авторах

В. И. Левченко
ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»
Беларусь


Л. И. Постнова
ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»
Беларусь


Е. Л. Труханова
ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»
Беларусь


В. П. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь


Список литературы

1. Yokoyama M., Chen N.T., Ueng H.Y. // J. Cryst. Growth. 2000. № 212. P. 97-102.

2. Mino N., Kobayashi M., Konagy M. et al. // J. Appl. Phys. 1985. № 58. Р. 793-798.

3. Yang T.-H., Yang C.S., Luo G. et al. // J. Appl. Phys. 2004. № 43. Р. L811-816.

4. Levchenko V.I., Postnova L.I., Bondarenko V.P. et al. // Thin Solid Films. 1999. № 348. P. 141-145.


Для цитирования:


Левченко В.И., Постнова Л.И., Труханова Е.Л., Бондаренко В.П. ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ. Доклады БГУИР. 2015;(6):100-102.

For citation:


Levchenko V.I., Postnova L.I., Trukhanava E.L., Bondarenko V.P. EPITAXIAL FILMS OF ZINC SELENIDE ON POROUS SILICON. Doklady BGUIR. 2015;(6):100-102. (In Russ.)

Просмотров: 33


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)