ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ
Аннотация
Эпитаксиальные пленки ZnSe выращены путем термического испарения соединения ZnSe на подложках Si ориентации (111) и (100) с буферным пористым слоем. Кристаллическая структура осаждаемых пленок контролировалась методом рентгеновской дифрактометрии. Морфология пленок изучалась методом растровой электронной микроскопии высокого разрешения. Установлено, что использование пористого буферного слоя позволяет повысить качество пленок по сравнению с пленками, осажденными на монолитный кремний.
Об авторах
В. И. Левченко
ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»
Беларусь
Беларусь
Л. И. Постнова
ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»
Беларусь
Беларусь
Е. Л. Труханова
ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»
Беларусь
Беларусь
В. П. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Yokoyama M., Chen N.T., Ueng H.Y. // J. Cryst. Growth. 2000. № 212. P. 97-102.
2. Mino N., Kobayashi M., Konagy M. et al. // J. Appl. Phys. 1985. № 58. Р. 793-798.
3. Yang T.-H., Yang C.S., Luo G. et al. // J. Appl. Phys. 2004. № 43. Р. L811-816.
4. Levchenko V.I., Postnova L.I., Bondarenko V.P. et al. // Thin Solid Films. 1999. № 348. P. 141-145.
Рецензия
Для цитирования:
Левченко В.И., Постнова Л.И., Труханова Е.Л., Бондаренко В.П. ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИ. Доклады БГУИР. 2015;(6):100-102.
For citation:
Levchenko V.I., Postnova L.I., Trukhanava E.L., Bondarenko V.P. EPITAXIAL FILMS OF ZINC SELENIDE ON POROUS SILICON. Doklady BGUIR. 2015;(6):100-102. (In Russ.)
Просмотров:
2966
Послать статью по эл. почте 