bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-559Research ArticleСтатьиЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА НА ПОРИСТОМ КРЕМНИИEPITAXIAL FILMS OF ZINC SELENIDE ON POROUS SILICONЛевченкоВ. И.LevchenkoV. I.noemail@neicon.ruПостноваЛ. И.PostnovaL. I.noemail@neicon.ruТрухановаЕ. Л.TrukhanavaE. L.noemail@neicon.ruБондаренкоВ. П.BondarenkoV. P.noemail@neicon.ruГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»BelarusБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus20150306201906100102Copyright © Левченко В.И., Постнова Л.И., Труханова Е.Л., Бондаренко В.П., 20192019Левченко В.И., Постнова Л.И., Труханова Е.Л., Бондаренко В.П.Levchenko V.I., Postnova L.I., Trukhanava E.L., Bondarenko V.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/559

Эпитаксиальные пленки ZnSe выращены путем термического испарения соединения ZnSe на подложках Si ориентации (111) и (100) с буферным пористым слоем. Кристаллическая структура осаждаемых пленок контролировалась методом рентгеновской дифрактометрии. Морфология пленок изучалась методом растровой электронной микроскопии высокого разрешения. Установлено, что использование пористого буферного слоя позволяет повысить качество пленок по сравнению с пленками, осажденными на монолитный кремний.

ZnSe epitaxial films are grown on (111)- and (100)-oriented Si substrates with a porous buffer layer by the thermal evaporation of ZnSe compound. The crystal structure of the deposited films was controlled by X-ray diffraction. The morphology of the films was studied by high-resolution scanning electron microscopy. It was demonstrated the porous buffer layer provides improving the quality of the films compared with films deposited on the monolithic silicon.

эпитаксиальные пленкиселенид цинкапористый кремнийReferencesYokoyama M., Chen N.T., Ueng H.Y. // J. Cryst. Growth. 2000. № 212. P. 97-102.Yokoyama M., Chen N.T., Ueng H.Y. // J. Cryst. Growth. 2000. № 212. P. 97-102.Mino N., Kobayashi M., Konagy M. et al. // J. Appl. Phys. 1985. № 58. Р. 793-798.Mino N., Kobayashi M., Konagy M. et al. // J. Appl. Phys. 1985. № 58. Р. 793-798.Yang T.-H., Yang C.S., Luo G. et al. // J. Appl. Phys. 2004. № 43. Р. L811-816.Yang T.-H., Yang C.S., Luo G. et al. // J. Appl. Phys. 2004. № 43. Р. L811-816.Levchenko V.I., Postnova L.I., Bondarenko V.P. et al. // Thin Solid Films. 1999. № 348. P. 141-145.Levchenko V.I., Postnova L.I., Bondarenko V.P. et al. // Thin Solid Films. 1999. № 348. P. 141-145.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.