Доклады БГУИР

Для цитирования:

Чонг Т., Ловшенко И.Ю., Волчёк В.С., Новиков П.Э., Стемпицкий В.Р. Суперпереходный биполярный транзистор с изолированным затвором и вертикальным рас­ положением канала с экранированным плавающим слоем накопления носителей заряд. Доклады БГУИР. 2026;24(5):24-32. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-5-24-32

For citation:

Trong T., Lovshenko I., Volcheck V., Novikov P., Stempitsky V. Super-Junction Insulated-Gate Bipolar Transistor with a Vertical Channel Arrangement and a Shielded Floating Charge-Carrier Accumulation Layer. Doklady BGUIR. 2026;24(5):24-32. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-5-24-32