Многослойные элементы памяти Al-Al₂Te₃-SnTe-TeO₂-SnTe-Me

В статье представлено исследование физических процессов на границе раздела в тонкопленочных структурах на основе двух- и трехкомпонентных халькогенидов, определяющих механизмы фазовых переходов и памяти. Предложена альтернативная концепция резистивного порогового переключения на границах раздела двух- и трехкомпонентных халькогенидных полупроводниковых материалов с формированием метастабильных дихалькогенидных соединений. Рассмотрены методы структурной стабилизации таких соединений.

1. Колобов, А. В. Халькогенидные стеклообразные полупроводники в устройствах памяти и обработки информации / А. В. Колобов, П. И. Лазаренко // Физика и техника полупроводников. 2025. Т. 59, вып. 9. С. 511–539.

2. Troyan, E. Change of GeTe/Sb2Te3 Thin-Film Memory Elements Resistance RON Under External Pressure / E. Troyan, A. Doronin // Comprehensible Science. 2021. 427–433.

3. Nanoscale Electrolytic Switching in Phase-Change Chalcogenide Films / R. Pandian [et al.] // Advanced Materials. 2007. Vol. 19, No 24. P. 4431–4437. DOI: 10.1002/adma.200700904.

4. Колосницын, Б. С. Эффекты переключения и памяти в тонкопленочных неупорядоченных халькогенидных полупроводниках / Б. С. Колосницын, Е. Ф. Троян // Доклады БГУИР. 2017. № 2. С. 25–30.

5. Процессы памяти и переключения в тонкопленочных структурах на основе двух- и трехкомпонентных халькогенидов / Е. Ф. Троян [и др.] // Известия Кабардино-Балкарского государственного университета. 2024. Т. XIV, № 3. С. 11–14.

6. Pat. US 9,865,811, Jan. 9, 2018; Pat. RF 2618959, 2017; Pat. EP 3151294, 2019 / E. F. Troyan.

7. Aluminum-Centered Tetrahedron-Octahedron Transition in Advancing Al-Sb-Te Phase Change Properties / Xia Mengjiao [et al.] // Scientific Reports. 2015. Vol. 5, No 1.

8. Pumlianmunga, R. K. Electrical Switching, Local Structure and Thermal Crystallization in Al-Te Glasses / R. K. Pumlianmunga // Materials Research Bulletin. 2017. Vol. 86. Р. 88–94.

9. Emerging Two-Dimensional Tellurides / S. Siddique [et al.] // Materials Today. 2021. Р. 1–23.

10. Cтруктура ближнего порядка и антиструктурные дефекты олова в пленках аморфного и кристаллического Ge2Sb2Te5 / А. В. Марченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, вып. 1. С. 3–8.

11. Growth of Textured Chalcogenide Thin Films and Their Functionalization Through Confinement / Р. Kerres [et al.] // Physica Status Solidi, A. 2024. Vol. 221, Is. 22. DOI: 10.1002/pssa.202300921.

12. Chirality in Transition Metal Dichalcogenide Nanostructures / L. Branzi [et al.] // Chemistry: A European Journal. 2025. Vol. 31, Iss. 35. Р. 1–27.

13. Xue, L. Ferroelectric Properties of Van der Waals Chalcogenides: A Density Functional Theory Perspective / L. Xue, G. J. McHugh, V. I. Fal’ko // Academia Nano: Science, Materials, Technology. 2025. Vol. 2. Р. 1–9.

14. Dielectric Relaxation in Amorphous and Crystalline Sb2Te3 Thin Films / А. А. Kononov [et al.] // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 2021. Vol. 32. Р. 14072–14078.