ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ
Аннотация
Предложен новый подход расчета электрических характеристик наноразмерных МОП-транзисторов, сущность которого заключается в использовании корректирующих коэффициентов, а также таких значений параметров классических диффузионно-дрейфовых моделей, которые бы эффективно учитывали квантово-механические механизмы транспорта. Разработан и использован при оптимизации диффузионно-дрейфовой модели модифицированный метод прямого поиска для МОП-транзистора с длиной канала 90 нм.
Об авторах
Т. Ч. Чан
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. М. Боровик
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. Р. Стемпицкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Vasileska D., Khan H.R., Ahmed S.S. // Nano-Electronic Devices. 2005. Vol. 4. P. 305-361.
2. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Основы САПР в микроэлектронике. Моделирование технологии и прибора. Минск, 2008.
3. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.
4. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. М., 2011.
5. ATLAS User’s Manual. Device simulation software. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 21.07.2014.
6. Darwish M., Lentz J.L., Pinto M.R. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. Vol. 44 (9). P. 1529-1538.
7. Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Данилюк А.Л. и др. Наноэлектроника: Теория и практика. М., 2013.
8. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники: Учебное пособие. Новосибирск, 2000.
9. Аоки М. Введение в методы оптимизации. М., 1977.
10. Реклейтис Г., Рейвиндран А., Регсдел К. Оптимизация в технике. Книга 1. М., 1986.
11. Stempitsky V., Trung Tran Tuan, Borovik A. // Proc. of Int. Workshop on New Approaches to High-Tech: Nano-Design, Technology, Computer Simulations (NDTCS’2013). Minsk, 11-15 June 2013. P. 85-87.
12. «Well-Tempered» Bulk-Si NMOSFET Device Home Page. [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well/. - Дата доступа: 21.07.2014.
Рецензия
Для цитирования:
Чан Т.Ч., Боровик А.М., Стемпицкий В.Р. ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИОННО-ДРЕЙФОВОЙ МОДЕЛИ. Доклады БГУИР. 2014;(8):11-17.
For citation:
Trung T.T., Borovik A.M., Stempitsky V.R. Drift-Diffusion Model parameterS Optimization. Doklady BGUIR. 2014;(8):11-17. (In Russ.)
Просмотров:
7009
Послать статью по эл. почте 