Предложен новый подход расчета электрических характеристик наноразмерных МОП-транзисторов, сущность которого заключается в использовании корректирующих коэффициентов, а также таких значений параметров классических диффузионно-дрейфовых моделей, которые бы эффективно учитывали квантово-механические механизмы транспорта. Разработан и использован при оптимизации диффузионно-дрейфовой модели модифицированный метод прямого поиска для МОП-транзистора с длиной канала 90 нм.
A new approach of nanoscale MOSFETs electrical characteristics calculating, the essence of which is the use of correction factors, as well as such values of classic drift-diffusion models, which would effectively take into account the quantum-mechanical transport mechanisms is proposed. Modified direct search method of drift-diffusion model optimization for MOSFET with a 90 nm channel length is developed and used.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.