ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ
Аннотация
Посредством компьютерного моделирования получены вольтамперные характеристики наноразмерных МОП-транзисторов и проведен их анализ. Выявлена неадекватность классических моделей для моделирования наноразмерных структур, а также непригодность использования методов прямого квантового описания для исследований, требующих проведения большого количества компьютерных экспериментов.
Об авторах
Т. Ч. Чан
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. М. Боровик
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
И. Ю. Ловшенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. Р. Стемпицкий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
А. А. Кулешов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Vasileska D., Khan H.R., Ahmed S.S. // Nano-Electronic Devices. 2005. Vol. 4. P. 305-361.
2. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Основы САПР в микроэлектронике. Моделирование технологии и прибора. Минск, 2008.
3. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.
4. Cheng Y., Hu C. MOSFET modeling & BSIM3 user’s guide. Kluwer Academic Publishers, 1999.
5. Foty D. P. MOSFET modeling with Spice. Principle and Practice. Prentice Hall PTR. NJ, 1997.
6. Yu В., Xiong W., Hsu C.H. et al. // 2007 IEEE International SOI Conference. 2007. P. 131-132.
7. Carlo de Falco. Quantum corrected drift-diffusion models and numerical simulation of nanoscale semiconductor devices: Ph.D. Thesis. Milan, 2006.
8. ATLAS User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 18.07.2014.
9. Iannaccone G. G., Curatola A., Fiori G. // SISPAD. 2004. P. 275-278.
10. Watling J. R., Brown A. R., Asenov A. // J. of Computational Electronics. 2002. P. 289-293.
11. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. М., 2011.
12. «Well-Tempered» Bulk-Si NMOSFET Device Home Page. - [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well/. - Дата доступа: 18.07.2014.
Рецензия
Для цитирования:
Чан Т.Ч., Боровик А.М., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Кулешов А.А. ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ. Доклады БГУИР. 2014;(7):21-27.
For citation:
Trung T.T., Borovik A.M., Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R., Kuleshov A.A. 27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATION. Doklady BGUIR. 2014;(7):21-27. (In Russ.)
Просмотров: 3151
Послать статью по эл. почте 