bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-370Research ArticleСтатьиПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATIONЧанТ. Ч.TrungT. T.noemail@neicon.ruБоровикА. М.BorovikA. M.noemail@neicon.ruЛовшенкоИ. Ю.LovshenkoI. Yu.noemail@neicon.ruСтемпицкийВ. Р.StempitskyV. R.noemail@neicon.ruКулешовА. А.KuleshovA. A.noemail@neicon.ruБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроникиBelarus201403062019072127Copyright © Чан Т.Ч., Боровик А.М., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Кулешов А.А., 20192019Чан Т.Ч., Боровик А.М., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Кулешов А.А.Trung T.T., Borovik A.M., Lovshenko I.Y., Stempitsky V.R., Kuleshov A.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/370

Посредством компьютерного моделирования получены вольтамперные характеристики наноразмерных МОП-транзисторов и проведен их анализ. Выявлена неадекватность классических моделей для моделирования наноразмерных структур, а также непригодность использования методов прямого квантового описания для исследований, требующих проведения большого количества компьютерных экспериментов.

Current-voltage characteristics of MOSFET are obtained by computer simulation and their analysis is performed. The inadequacy of the classical models for simulation of nanoscale structures is revealed, as well as the unsuitability methods of direct quantum description for studies requiring a large number of computer experiments is detected.

наноразмерный МОП-транзистормоделированиеквантовая коррекцияReferencesVasileska D., Khan H.R., Ahmed S.S. // Nano-Electronic Devices. 2005. Vol. 4. P. 305-361.Vasileska D., Khan H.R., Ahmed S.S. // Nano-Electronic Devices. 2005. Vol. 4. P. 305-361.Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Основы САПР в микроэлектронике. Моделирование технологии и прибора. Минск, 2008.Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Основы САПР в микроэлектронике. Моделирование технологии и прибора. Минск, 2008.Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.Cheng Y., Hu C. MOSFET modeling & BSIM3 user’s guide. Kluwer Academic Publishers, 1999.Cheng Y., Hu C. MOSFET modeling & BSIM3 user’s guide. Kluwer Academic Publishers, 1999.Foty D. P. MOSFET modeling with Spice. Principle and Practice. Prentice Hall PTR. NJ, 1997.Foty D. P. MOSFET modeling with Spice. Principle and Practice. Prentice Hall PTR. NJ, 1997.Yu В., Xiong W., Hsu C.H. et al. // 2007 IEEE International SOI Conference. 2007. P. 131-132.Yu В., Xiong W., Hsu C.H. et al. // 2007 IEEE International SOI Conference. 2007. P. 131-132.Carlo de Falco. Quantum corrected drift-diffusion models and numerical simulation of nanoscale semiconductor devices: Ph.D. Thesis. Milan, 2006.Carlo de Falco. Quantum corrected drift-diffusion models and numerical simulation of nanoscale semiconductor devices: Ph.D. Thesis. Milan, 2006.ATLAS User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 18.07.2014.ATLAS User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 18.07.2014.Iannaccone G. G., Curatola A., Fiori G. // SISPAD. 2004. P. 275-278.Iannaccone G. G., Curatola A., Fiori G. // SISPAD. 2004. P. 275-278.Watling J. R., Brown A. R., Asenov A. // J. of Computational Electronics. 2002. P. 289-293.Watling J. R., Brown A. R., Asenov A. // J. of Computational Electronics. 2002. P. 289-293.Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. М., 2011.Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. М., 2011.«Well-Tempered» Bulk-Si NMOSFET Device Home Page. - [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well/. - Дата доступа: 18.07.2014.«Well-Tempered» Bulk-Si NMOSFET Device Home Page. - [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well/. - Дата доступа: 18.07.2014.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.