27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATION
Abstract
Current-voltage characteristics of MOSFET are obtained by computer simulation and their analysis is performed. The inadequacy of the classical models for simulation of nanoscale structures is revealed, as well as the unsuitability methods of direct quantum description for studies requiring a large number of computer experiments is detected.
About the Authors
T. T. Trung
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
A. M. Borovik
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
I. Yu. Lovshenko
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
V. R. Stempitsky
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
A. A. Kuleshov
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
References
1. Vasileska D., Khan H.R., Ahmed S.S. // Nano-Electronic Devices. 2005. Vol. 4. P. 305-361.
2. Нелаев В.В., Стемпицкий В.Р. Основы САПР в микроэлектронике. Моделирование технологии и прибора. Минск, 2008.
3. Денисенко В.В. Компактные модели МОП-транзисторов для SPICE в микро- и наноэлектронике. М., 2010.
4. Cheng Y., Hu C. MOSFET modeling & BSIM3 user’s guide. Kluwer Academic Publishers, 1999.
5. Foty D. P. MOSFET modeling with Spice. Principle and Practice. Prentice Hall PTR. NJ, 1997.
6. Yu В., Xiong W., Hsu C.H. et al. // 2007 IEEE International SOI Conference. 2007. P. 131-132.
7. Carlo de Falco. Quantum corrected drift-diffusion models and numerical simulation of nanoscale semiconductor devices: Ph.D. Thesis. Milan, 2006.
8. ATLAS User’s Manual. Device simulation software [Электронный ресурс]. - Режим доступа: atlas_users.pdf. - Дата доступа: 18.07.2014.
9. Iannaccone G. G., Curatola A., Fiori G. // SISPAD. 2004. P. 275-278.
10. Watling J. R., Brown A. R., Asenov A. // J. of Computational Electronics. 2002. P. 289-293.
11. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. М., 2011.
12. «Well-Tempered» Bulk-Si NMOSFET Device Home Page. - [Электронный ресурс]. - Режим доступа: http://www-mtl.mit.edu/researchgroups/Well/. - Дата доступа: 18.07.2014.
Review
For citations:
Trung T.T., Borovik A.M., Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R., Kuleshov A.A. 27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATION. Doklady BGUIR. 2014;(7):21-27. (In Russ.)
Views:
4157
JATS XML
Email this article 