ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ
Аннотация
Посредством компьютерного моделирования получены вольтамперные характеристики наноразмерных МОП-транзисторов и проведен их анализ. Выявлена неадекватность классических моделей для моделирования наноразмерных структур, а также непригодность использования методов прямого квантового описания для исследований, требующих проведения большого количества компьютерных экспериментов.
Для цитирования:
Чан Т.Ч., Боровик А.М., Ловшенко И.Ю., Стемпицкий В.Р., Кулешов А.А. ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ. Доклады БГУИР. 2014;(7):21-27.
For citation:
Trung T.T., Borovik A.M., Lovshenko I.Yu., Stempitsky V.R., Kuleshov A.A. 27 TECHNOLOGY AND DEVICE NANOSCALE MOSFETS SIMULATION. Doklady BGUIR. 2014;(7):21-27. (In Russ.)
Просмотров: 3987
Послать статью по эл. почте 