Preview

Войти

Регистрация нового пользователя Забыли Ваш пароль?

Доклады БГУИР

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:

Lovshenko I.Yu., Voronov A.Yu., Roshchenko P.S., Ternov R.E., Galkin Ya.D., Kunts A.V., Stempitsky V.R., Bi J. The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs. Доклады БГУИР. 2021;19(8):81-86. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-8-81-86

For citation:

Lovshenko I.Yu., Voronov A.Yu., Roshchenko P.S., Ternov R.E., Galkin Ya.D., Kunts A.V., Stempitsky V.R., Bi J. The proton flux influence on electrical characteristics of a dual-channel hemt based on GaAs. Doklady BGUIR. 2021;19(8):81-86. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2021-19-8-81-86

Просмотров: 236


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)

ул. П. Бровки, 6, к. 326, г. Минск, 220013, Республика Беларусь
Учреждение образования
«Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»
тел. +375-17-293-88-41
e-mail: doklady@bsuir.by

создано и поддерживается NEICON
(лаборатория Ejournal )