Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

СВЕТОДИОДНАЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВАЯ УСТАНОВКА ЭКСПОНИРОВАНИЯ С РЕГУЛИРУЕМЫМ ВРЕМЕНЕМ ЭКСПОЗИЦИИ

https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-46-50

Полный текст:

Аннотация

Исследованы возможности улучшения качества топологического рисунка при экспонировании толстопленочных фоторезистов за счет равномерного облучения ультрафиолетовыми светодиодами. Осуществлено моделирование оптических характеристик светодиодного линейного ультрафиолетового модуля. Установлена возможность равномерного облучения фоторезиста большой площади при перемещении узкой равномерно светящейся области экспонирования. Исследованы распределения энергетической освещенности УФ светодиодного модуля установки экспонирования с регулируемым временем экспозиции. Приведены результаты экспериментального исследования разработанного светодиодного ультрафиолетового фотолитографического облучателя с регулируемым временем экспонирования.

Об авторах

А. Е. Челяпин
Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий НАН Беларуси
Беларусь

Челяпин Алексей Евгеньевич, аспирант, научный сотрудник НИО государсвенного предприятия

220090, Республика Беларусь, г. Минск, Логойский тр., д. 20

тел. +375-29-673-65-92



П. С. Бегунов
Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий НАН Беларуси
Беларусь

Аспирант, научный сотрудник НИО государсвенного предприятия



Ю. В. Трофимов
Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий НАН Беларуси
Беларусь

К.т.н., директор государственного предприятия



Г. К. Жавнерко
ООО «ИЗОВАК ТЕХНОЛОГИИ»
Беларусь
К.х.н.


Список литературы

1. Deng J., Wang L., Liu L., Yang W. Developments and new applications of UV-induced surface graft polymerizations. Prog. Polym.Sci. 2009; 34(2): 156-193.

2. Sun R. Li. X., Gou J. UV-led system to obtain high power density in specific working-plane. Proc. SPIE 9272, Optical design and testing VI. 2014; 204-210.

3. Yapici M. K., Farhat I. UV-LED exposure system for low-cost photolithography. Proc. SPIE. 2014; 104-109.

4. Kim J., Paik S.-J., Herrault F., Allen M. G. UV-LED lithography for 3-D high aspect ratio microstructure patterning. Solid-State Sensors, Actuators, and Microsystems Workshop. Hilton Head Island, USA, June 3–7, 2012; 481-484.

5. Reznikova E. F., Morh J., Hein H. Deep photo-lithography characterization of SU-8 resist layers. Microsystem Technol. 2005; 11(Is. 4-5): 282-291.

6. Yoshihiko M., Masahiro K., Suguru N. Development and future of ultraviolet light-emitting diodes: UV-LED will replace the UV lamp. Semicond. Sci. Technol. 2014; 29: 084004.

7. Pramod Sh., Khan M.Z, Choubey A.K. LED Revolution: Deep UV LED. IRJET. 2019; 6(5): 6486-6489.


Для цитирования:


Челяпин А.Е., Бегунов П.С., Трофимов Ю.В., Жавнерко Г.К. СВЕТОДИОДНАЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВАЯ УСТАНОВКА ЭКСПОНИРОВАНИЯ С РЕГУЛИРУЕМЫМ ВРЕМЕНЕМ ЭКСПОЗИЦИИ. Доклады БГУИР. 2019;(7 (125)):46-50. https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-46-50

For citation:


Cheliapin A.E., Begunov P.S., Trofimov Yu.V., Zhavnerko G.K. LED ULTRAVIOLET EXPOSURE UNIT WITH ADJUSTABLE EXPOSURE TIME. Doklady BGUIR. 2019;(7 (125)):46-50. (In Russ.) https://doi.org/10.35596/1729-7648-2019-125-7-46-50

Просмотров: 128


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)