bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИР10.35596/1729-7648-2019-125-7-46-50bsuir-2068Research ArticleСЕКЦИЯ 3. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ПРИБОРЫ И СТРУКТУРЫСВЕТОДИОДНАЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВАЯ УСТАНОВКА ЭКСПОНИРОВАНИЯ С РЕГУЛИРУЕМЫМ ВРЕМЕНЕМ ЭКСПОЗИЦИИLED ULTRAVIOLET EXPOSURE UNIT WITH ADJUSTABLE EXPOSURE TIMEЧеляпинА. Е.CheliapinA. E.

Челяпин Алексей Евгеньевич, аспирант, научный сотрудник НИО государсвенного предприятия

220090, Республика Беларусь, г. Минск, Логойский тр., д. 20

тел. +375-29-673-65-92

Chelyapin Alexey Evgenievich, PG student, researcher

220090, Republic of Belarus, Minsk, Logoisk tr., 20

tel.+375-29-673-65-92

alex.gif@rambler.ruБегуновП. С.BegunovP. S.

Аспирант, научный сотрудник НИО государсвенного предприятия

PG student, researcher

ТрофимовЮ. В.TrofimovY. V.

К.т.н., директор государственного предприятия

PhD., director

ЖавнеркоГ. К.ZhavnerkoG. K.

К.х.н.

PhD.

Центр светодиодных и оптоэлектронных технологий НАН БеларусиCenter of LED and Optoelectronic Technologies of National Academy of Sciences of BelarusООО «ИЗОВАК ТЕХНОЛОГИИ»IZOVAC Technologies, Ltd.20190612201907 (125)Спецвыпуск4650Copyright © Челяпин А.Е., Бегунов П.С., Трофимов Ю.В., Жавнерко Г.К., 20192019Челяпин А.Е., Бегунов П.С., Трофимов Ю.В., Жавнерко Г.К.Cheliapin A.E., Begunov P.S., Trofimov Y.V., Zhavnerko G.K.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/2068

Исследованы возможности улучшения качества топологического рисунка при экспонировании толстопленочных фоторезистов за счет равномерного облучения ультрафиолетовыми светодиодами. Осуществлено моделирование оптических характеристик светодиодного линейного ультрафиолетового модуля. Установлена возможность равномерного облучения фоторезиста большой площади при перемещении узкой равномерно светящейся области экспонирования. Исследованы распределения энергетической освещенности УФ светодиодного модуля установки экспонирования с регулируемым временем экспозиции. Приведены результаты экспериментального исследования разработанного светодиодного ультрафиолетового фотолитографического облучателя с регулируемым временем экспонирования.

The possibilities of improving the quality of the topological pattern in the exposure of thick-film photoresists due to uniform irradiation with ultraviolet light-emitting diodes are investigated. The results of an experimental study of the developed LED ultraviolet photolithographic irradiator with a controlled exposure time are presented.

УФ светодиодысветодиодный облучательфотолитографиятолстопленочный фоторезистUV LEDsLED irradiatorphotolithographythick-film photoresistReferencesDeng J., Wang L., Liu L., Yang W. Developments and new applications of UV-induced surface graft polymerizations. Prog. Polym.Sci. 2009; 34(2): 156-193.Deng J., Wang L., Liu L., Yang W. Developments and new applications of UV-induced surface graft polymerizations. Prog. Polym.Sci. 2009; 34(2): 156-193.Sun R. Li. X., Gou J. UV-led system to obtain high power density in specific working-plane. Proc. SPIE 9272, Optical design and testing VI. 2014; 204-210.Sun R. Li. X., Gou J. UV-led system to obtain high power density in specific working-plane. Proc. SPIE 9272, Optical design and testing VI. 2014; 204-210.Yapici M. K., Farhat I. UV-LED exposure system for low-cost photolithography. Proc. SPIE. 2014; 104-109.Yapici M. K., Farhat I. UV-LED exposure system for low-cost photolithography. Proc. SPIE. 2014; 104-109.Kim J., Paik S.-J., Herrault F., Allen M. G. UV-LED lithography for 3-D high aspect ratio microstructure patterning. Solid-State Sensors, Actuators, and Microsystems Workshop. Hilton Head Island, USA, June 3–7, 2012; 481-484.Kim J., Paik S.-J., Herrault F., Allen M. G. UV-LED lithography for 3-D high aspect ratio microstructure patterning. Solid-State Sensors, Actuators, and Microsystems Workshop. Hilton Head Island, USA, June 3–7, 2012; 481-484.Reznikova E. F., Morh J., Hein H. Deep photo-lithography characterization of SU-8 resist layers. Microsystem Technol. 2005; 11(Is. 4-5): 282-291.Reznikova E. F., Morh J., Hein H. Deep photo-lithography characterization of SU-8 resist layers. Microsystem Technol. 2005; 11(Is. 4-5): 282-291.Yoshihiko M., Masahiro K., Suguru N. Development and future of ultraviolet light-emitting diodes: UV-LED will replace the UV lamp. Semicond. Sci. Technol. 2014; 29: 084004.Yoshihiko M., Masahiro K., Suguru N. Development and future of ultraviolet light-emitting diodes: UV-LED will replace the UV lamp. Semicond. Sci. Technol. 2014; 29: 084004.Pramod Sh., Khan M.Z, Choubey A.K. LED Revolution: Deep UV LED. IRJET. 2019; 6(5): 6486-6489.Pramod Sh., Khan M.Z, Choubey A.K. LED Revolution: Deep UV LED. IRJET. 2019; 6(5): 6486-6489.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.