МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Аннотация
Приведено описание программного комплекса для моделирования радиационной стойкости n - и p -канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов - элементов комплементарных МОП интегральных микросхем. Программное обеспечение предназначено для визуализации и анализа результатов измерений вольтамперных характеристик транзисторов, экстракции SPICE-параметров и последующего моделирования их эволюции в зависимости от дозы ионизирующего излучения. Исследовано радиационное поведение МОП транзисторов - элементов микросхем 1554ЛН1 - в поле ионизирующего излучения Со60.
Для цитирования:
Лазарь А.П., Коршунов Ф.П. МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. Доклады БГУИР. 2013;(5):17-23.
For citation:
Lazar A.P., Korshunov F.P. RADIATION RESISTANCE SIMULATION OF LOGICAL CMOS INTEGRATED CIRCUITS ELEMENTS. Doklady BGUIR. 2013;(5):17-23. (In Russ.)
Просмотров: 387
Послать статью по эл. почте 