МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
Аннотация
Приведено описание программного комплекса для моделирования радиационной стойкости n - и p -канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов - элементов комплементарных МОП интегральных микросхем. Программное обеспечение предназначено для визуализации и анализа результатов измерений вольтамперных характеристик транзисторов, экстракции SPICE-параметров и последующего моделирования их эволюции в зависимости от дозы ионизирующего излучения. Исследовано радиационное поведение МОП транзисторов - элементов микросхем 1554ЛН1 - в поле ионизирующего излучения Со60.
Об авторах
А. П. Лазарь
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
Ф. П. Коршунов
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Cheng Y., Chan M., Hui R. et al. BSIM3v3 Manual. 1996.
2. Третьяченко Т.И., Ватутина К.С., Горбунов М.С. и др. // Cб.: Научная сессия МИФИ. 2006. Т. 16. С. 73-74.
3. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, 1986.
4. Guvench M.G. // Proc. of ASEE. 1994. Vol. 1. P. 879-884.
5. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М., 1994.
6. ПершенковВ.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М., 1988.
Рецензия
Для цитирования:
Лазарь А.П., Коршунов Ф.П. МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ. Доклады БГУИР. 2013;(5):17-23.
For citation:
Lazar A.P., Korshunov F.P. RADIATION RESISTANCE SIMULATION OF LOGICAL CMOS INTEGRATED CIRCUITS ELEMENTS. Doklady BGUIR. 2013;(5):17-23. (In Russ.)
Просмотров:
406
Послать статью по эл. почте 