bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-200Research ArticleСтатьиМОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ЭЛЕМЕНТОВ ЛОГИЧЕСКИХ КМОП ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМRADIATION RESISTANCE SIMULATION OF LOGICAL CMOS INTEGRATED CIRCUITS ELEMENTSЛазарьА. П.LazarA. P.noemail@neicon.ruКоршуновФ. П.KorshunovF. P.noemail@neicon.ruНаучно-практический центр НАН Беларуси по материаловедениюBelarus201303062019051723Copyright © Лазарь А.П., Коршунов Ф.П., 20192019Лазарь А.П., Коршунов Ф.П.Lazar A.P., Korshunov F.P.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/200

Приведено описание программного комплекса для моделирования радиационной стойкости n - и p -канальных металл-окисел-полупроводник (МОП) транзисторов - элементов комплементарных МОП интегральных микросхем. Программное обеспечение предназначено для визуализации и анализа результатов измерений вольтамперных характеристик транзисторов, экстракции SPICE-параметров и последующего моделирования их эволюции в зависимости от дозы ионизирующего излучения. Исследовано радиационное поведение МОП транзисторов - элементов микросхем 1554ЛН1 - в поле ионизирующего излучения Со60.

The software to simulate radiation resistance of MOSFET transistors, the basic elements of CMOS integrated circuits, is presented. The software performs visualization and analysis of volt-ampere characteristics of p - and n -channel transistors, extraction of «radiation sensitive» SPICE parameters and modeling of their variations with an ionizing radiation. The degradation of MOSFET transistors of the 1554LN1 microcircuit is investigated for gamma Co60 irradiation.

элементы КМОП интегральных микросхемгамма излучениевольтамперные характеристикиn- и p-канальные МОП транзисторыSPICE-параметрыReferencesCheng Y., Chan M., Hui R. et al. BSIM3v3 Manual. 1996.Cheng Y., Chan M., Hui R. et al. BSIM3v3 Manual. 1996.Третьяченко Т.И., Ватутина К.С., Горбунов М.С. и др. // Cб.: Научная сессия МИФИ. 2006. Т. 16. С. 73-74.Третьяченко Т.И., Ватутина К.С., Горбунов М.С. и др. // Cб.: Научная сессия МИФИ. 2006. Т. 16. С. 73-74.Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, 1986.Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, 1986.Guvench M.G. // Proc. of ASEE. 1994. Vol. 1. P. 879-884.Guvench M.G. // Proc. of ASEE. 1994. Vol. 1. P. 879-884.Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М., 1994.Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М., 1994.ПершенковВ.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М., 1988.ПершенковВ.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М., 1988.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.