RADIATION RESISTANCE SIMULATION OF LOGICAL CMOS INTEGRATED CIRCUITS ELEMENTS
Abstract
The software to simulate radiation resistance of MOSFET transistors, the basic elements of CMOS integrated circuits, is presented. The software performs visualization and analysis of volt-ampere characteristics of p - and n -channel transistors, extraction of «radiation sensitive» SPICE parameters and modeling of their variations with an ionizing radiation. The degradation of MOSFET transistors of the 1554LN1 microcircuit is investigated for gamma Co60 irradiation.
About the Authors
A. P. Lazar
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
F. P. Korshunov
Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению
Беларусь
Беларусь
References
1. Cheng Y., Chan M., Hui R. et al. BSIM3v3 Manual. 1996.
2. Третьяченко Т.И., Ватутина К.С., Горбунов М.С. и др. // Cб.: Научная сессия МИФИ. 2006. Т. 16. С. 73-74.
3. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, 1986.
4. Guvench M.G. // Proc. of ASEE. 1994. Vol. 1. P. 879-884.
5. Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И. Радиационные эффекты в КМОП ИС. М., 1994.
6. ПершенковВ.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М., 1988.
Review
For citations:
Lazar A.P., Korshunov F.P. RADIATION RESISTANCE SIMULATION OF LOGICAL CMOS INTEGRATED CIRCUITS ELEMENTS. Doklady BGUIR. 2013;(5):17-23. (In Russ.)
Views:
532
JATS XML
Email this article 