КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ
Аннотация
Проведено 2D-моделирование и экспериментальное исследование усовершенствованной конструкции и технологии изготовления диодов Шоттки с металл-окисел-полупроводник (МОП) канавочной структурой на кремнии, позволивших упростить технологический процесс на одну фотолитографию и улучшить параметры диодов.
Об авторах
В. С. Котов
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Н. Ф. Голубев
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
В. Е. Борисенко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Max Chen, Henry Kuo, Sweetman Kim // Power Electronics Technology. 2006. P.22-32.
2. Davide Chiola, Marina del Rey. Recessed termination for trench Schottky device without junction curvature / Патент США №7466005 B2
3. Н. Голубев, В. Токарев, С. Шпаковский // Силовая электроника. 2005. №3. С. 30-33
Рецензия
Для цитирования:
Котов В.С., Голубев Н.Ф., Борисенко В.Е. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДИОДОВ ШОТТКИ С МОП КАНАВОЧНОЙ СТРУКТУРОЙ. Доклады БГУИР. 2013;(5):12-16.
For citation:
Kotov V.S., Golubev N.F., Borisenko V.E. STRUCTURE AND techological improvments of tmbs diodes. Doklady BGUIR. 2013;(5):12-16. (In Russ.)
Просмотров: 335
Послать статью по эл. почте 