RADIATION RESISTANCE OF SILICON NANOSTRUCTURED PHOTOVOLTAIC ELEMENTS FORMED IN COMPRESSION PLASMA
Abstract
Photovoltaic effect in silicon doped by the action of compression plasma pulses is investigated for the first time. Plasma treatment parameters providing maximum values of photo-emf are optimized. Dependences of photo-emf on the dose of electron high-energy post-irradiation are studied.
About the Authors
V. V. Uglov
Белорусский государственный университет
Belarus
Belarus
N. T. Kvasov
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
V. M. Astashynski
Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ
Belarus
Belarus
Yu. A. Petukhou
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
A. M. Kuzmitski
Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ
Belarus
Belarus
I. L. Doroshevich
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Belarus
Belarus
S. B. Lastovski
Научно-практический центр НАНБ по материаловедению, Минск, Беларусь
Belarus
Belarus
References
1. Асташинский В.М., Дорошевич И.Л., Квасов Н.Т. и др. // Тез. докл. XLI Междунар. конф. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. Москва, 2011. С. 119.
2. Вавилов В.С., Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники. М., 1988.
Review
For citations:
Uglov V.V., Kvasov N.T., Astashynski V.M., Petukhou Yu.A., Kuzmitski A.M., Doroshevich I.L., Lastovski S.B. RADIATION RESISTANCE OF SILICON NANOSTRUCTURED PHOTOVOLTAIC ELEMENTS FORMED IN COMPRESSION PLASMA. Doklady BGUIR. 2013;(2):21-25. (In Russ.)
Views: 2145
Email this article 