CONTROL OF RESIDUAL STRESSES IN STRUCTURES SI-SIO2
Abstract
The consideration is made of the ways leading to increasing the control of residual stresses in structures such as silicon dioxide-monocrystal silicon substrate. The results concerning the determination of the level of residual stresses in structures Si-SiO2 are presented.
References
1. Зеленин В.А. // Матер. II Межд. науч.-техн. конф. «Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств». Новополоцк, 2002. С. 88-91.
2. Сергеев В.С., Кузнецов О.А., Захаров Н.П., и др. Напряжения и деформации в элементах микросхем. М., 1987.
3. Айвазян Г.Е., Скворцов А.М. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1986. Вып. 1(117). С. 117-120.
4. Федорович Н.А., Соколов В.И., Шеленшкевич В.А. // ФТТ. 1975. Т.17, вып. 3. С. 919-921.
5. Сенько С.Ф., Зеленин В.А. А.с. СССР 1729253 от 22.12.91 г. Способ контроля величины локальных механических напряжений в структурах пленка - подложка.
6. Ландау Л.Д., Лифшиц Б.И. Теоретическая физика. В 10-ти т. Т.VII. Теория упругости. М.: Наука. 1987.
7. Пискунов Н.С. Дифференциальное и интегральное исчисления для ВТУЗов. М., 1963.
Review
For citations:
Zelenin V.A. CONTROL OF RESIDUAL STRESSES IN STRUCTURES SI-SIO2. Doklady BGUIR. 2012;(8):37-43. (In Russ.)
Views: 296
Email this article 