bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-121Research ArticleСтатьиКОНТРОЛЬ ОСТАТОЧНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ В СТРУКТУРАХ SI-SIO2CONTROL OF RESIDUAL STRESSES IN STRUCTURES SI-SIO2ЗеленинВ. А.ZeleninV. A.noemail@neicon.ruФизико-технический институт НАН БеларусиBelarus201203062019083743Copyright © Зеленин В.А., 20192019Зеленин В.А.Zelenin V.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/121

Рассмотрены пути повышения точности контроля величины остаточных напряжений в структурах диоксид кремния-монокристаллическая кремниевая подложка. Приведены результаты определения уровня остаточных напряжений в структурах Si-SiO2.

The consideration is made of the ways leading to increasing the control of residual stresses in structures such as silicon dioxide-monocrystal silicon substrate. The results concerning the determination of the level of residual stresses in structures Si-SiO2 are presented.

ReferencesЗеленин В.А. // Матер. II Межд. науч.-техн. конф. «Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств». Новополоцк, 2002. С. 88-91.Зеленин В.А. // Матер. II Межд. науч.-техн. конф. «Проблемы проектирования и производства радиоэлектронных средств». Новополоцк, 2002. С. 88-91.Сергеев В.С., Кузнецов О.А., Захаров Н.П., и др. Напряжения и деформации в элементах микросхем. М., 1987.Сергеев В.С., Кузнецов О.А., Захаров Н.П., и др. Напряжения и деформации в элементах микросхем. М., 1987.Айвазян Г.Е., Скворцов А.М. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1986. Вып. 1(117). С. 117-120.Айвазян Г.Е., Скворцов А.М. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1986. Вып. 1(117). С. 117-120.Федорович Н.А., Соколов В.И., Шеленшкевич В.А. // ФТТ. 1975. Т.17, вып. 3. С. 919-921.Федорович Н.А., Соколов В.И., Шеленшкевич В.А. // ФТТ. 1975. Т.17, вып. 3. С. 919-921.Сенько С.Ф., Зеленин В.А. А.с. СССР 1729253 от 22.12.91 г. Способ контроля величины локальных механических напряжений в структурах пленка - подложка.Сенько С.Ф., Зеленин В.А. А.с. СССР 1729253 от 22.12.91 г. Способ контроля величины локальных механических напряжений в структурах пленка - подложка.Ландау Л.Д., Лифшиц Б.И. Теоретическая физика. В 10-ти т. Т.VII. Теория упругости. М.: Наука. 1987.Ландау Л.Д., Лифшиц Б.И. Теоретическая физика. В 10-ти т. Т.VII. Теория упругости. М.: Наука. 1987.Пискунов Н.С. Дифференциальное и интегральное исчисления для ВТУЗов. М., 1963.Пискунов Н.С. Дифференциальное и интегральное исчисления для ВТУЗов. М., 1963.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.