Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДА ПЛАТИНЫ МЕТОДОМ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ ШОТТКИ

Полный текст:

Аннотация

Приведены результаты исследования влияния режимов формирования силицида платины с применением быстрой термической обработки на электорофизические параметры диодов Шоттки. Показано, что данная обработка, по сравнению с традиционной, позволяет за счет уменьшения микрорельефа границы раздела PtSi–Si, а также получения в результате обработки менее дефектной и равновесной структуры барьерного слоя повысить высоту барьера с 0,804 до 0,825 В, снизить ток утечки с –4,42·10-6 до –2,85·10-6 А и в 1,25 раза повысить надежность диодов Шоттки при температуре эксплуатации 125 °С.

Об авторах

В. А. Солодуха
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» − управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь
к.т.н., генеральный директор


В. А. Пилипенко
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» − управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь

Пилипенко Владимир Александрович - д.т.н., профессор, членкорреспондент НАН Беларуси, заместитель директора по научному развитию ГЦ «Белмикроанализ»

220108, г. Минск, ул. Казинца, 121А

тел. +375-17-212-37-41



В. А. Горушко
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» − управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь
ведущий инженер ГЦ «Белмикроанализ» филиала НТЦ «Белмикросистемы»


В. А. Филипеня
Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» − управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»
Беларусь
ведущий инженер ГЦ «Белмикроанализ» филиала НТЦ «Белмикросистемы»


Список литературы

1. Roderick E.Kh. Metal-semiconductor contacts. М.: Radio and communication, 1982. 216 p.

2. Strikha V.I., Buzaneva Е.V. Physical basis of the reliability of metal-semiconductor contacts in integrated electronics. М.: Radion and communication, 1987. 256 p.

3. VLSI Technology / Ed. by S.М. Zi. Vol. 2. М.: Мir, 1986. 453 p.

4. Мiurarka Sh.P. Silicides for VLSI. М.: Мir, 1986. 176 p.

5. Low-temperature formation method of contact layer of platinum silicide for high-power Schottky diodes / F.F. Коmarov [et al.] // Reports of Belarus National Academy of Sciences. 2013. Т. 53, No. 2. P. 38–42.

6. Two-step low temperature annealing for the Nickel-Platinum compound silicide formation for high-power Schottky diodes / V. Saladukha [et al.] // IX International Conference «Ion Implantation and Other Application of Ions and Electrons». Poland, Kazimierz Dolny, 25–28 June 2012. P. 99–100.

7. The formation of silicides by pulse heat treatment of film structures / V.А. Labunov [et al.] // Foreign electronic technique. 1985. No. 8. P. 27–53.

8. Pilipenko V.А., Ponomar V.N., Gorushko V.А. Properties controlling of thin-film systems using pulse photon treatment // Engineering-physical journal. 2003. Vol. 76, No. 4. P. 95–98.

9. Singh R., Nulman J. Development trends in the direction of rapid isothremal processing (RIP) dominated silicon integrated circuit fabrication // Material research society. 1991. P. 441–448.

10. Standart 11 050.003-83. Gases used in the manufacture of Electronics Articles. Technical requirements and control methods.


Для цитирования:


Солодуха В.А., Пилипенко В.А., Горушко В.А., Филипеня В.А. ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДА ПЛАТИНЫ МЕТОДОМ БЫСТРОЙ ТЕРМООБРАБОТКИ НА ПАРАМЕТРЫ ДИОДОВ ШОТТКИ. Доклады БГУИР. 2019;(1):62-67.

For citation:


Saladukha V.A., Pilipenko V.A., Gorushko V.A., Philipenya V.A. The impact of formation modes of platinum silicide by the quick heat treatment on Schottky diodes parameters. Doklady BGUIR. 2019;(1):62-67. (In Russ.)

Просмотров: 72


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)