Switching and memory effects in thin film disoder chalcoginide semiconductors
Abstract
The possibility of creation of thin film memory elements and threshold switching elements on the base of one chalcogenide - tellurium is analyzed in the proposed article.
About the Authors
B. S. Kolosnitcin
Belarusian state university of informatics and radioelectronics
Belarus
Belarus
E. F. Troyan
CJSC «New european innovative technologies»
Belarus
Belarus
References
1. Троян Е.Ф., Колосницын Б.С., Данько В.Н. Эффекты памяти и переключения в тонкопленочных халькогенидных полупроводниках // Cб. трудов 10-й Междунар. конф. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». СПб: ФТИ им. Иоффе, 2016. С. 113-114.
2. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химические свойства поверхности полупроводников. М.: Наука, 1973. 340 с.
3. Hans Luth. Solid Surfaces, Interfaces, and Thin Films. Berlin: Springer, 2012. 577 p.
4. Infrared Absorption of Ag- and Cu- Photodoped Chalcogenide Films / A.I. Stetsun et.al. // J. Non-Crys. Sol. 1996. Vol. 202. P. 113-121.
5. Suntola T., Tianen O.J.A. Frequency-dependent conductivity and capacitance in chalcogenide thin films // Thin Solid Films. 1972. Vol.12, № 2. P. 227-230.
Review
For citations:
Kolosnitcin B.S., Troyan E.F. Switching and memory effects in thin film disoder chalcoginide semiconductors. Doklady BGUIR. 2017;(2):25-30. (In Russ.)
Views: 463
Email this article 