РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ СТРУКТУР АНТИПРОЖИГАЕМЫХ ПЕРЕМЫЧЕК ДЛЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ ВЕНТИЛЬНЫХ МАТРИЦ И ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
Аннотация
Использование антипрожигаемых перемычек в качестве программируемых элементов становится все более популярным в программируемых пользователем вентильных матрицах и программируемых постоянных запоминающих устройствах. В работе обсуждаются характеристики различных структур антипрожигаемых перемычек, а также компромисс между производительностью и надежностью.
Об авторах
В. А. Петрович
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь
Беларусь
В. П. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь
Беларусь
А. Л. Долгий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь
Беларусь
С. В. Редько
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь
Беларусь
Список литературы
1. Dielectric based antifuse for logic and memory Ics/ E. Hamdy [et al.] // Electron Devices Meeting. IEDM'88. Technical Digest., International. 1988. P. 786-789.
2. Characterization and Modeling of a Highly Reliable ONO Antifuse for High-Performance FPGA and PROM / G. Liu [et al.] // Int. J. of Materials Science and Applications. Vol. 5, № 3. 2016. С. 169-177.
3. Wong R., Gordon K. Evaluating the Reliability of the Quicklogic Antifuse // Electronic Engineering. June, 1992. P. 49-55.
4. Antifuse structure comparison for field programmable gate arrays / S. Chiang [et al.] // Int. Electron Devices Meeting. Technical Digest. 1992. P. 611-614.
5. Scaled dielectric antifuse structure for field-programmable gate array applications / D.K.Y. Liu [et al.] // IEEE Electron Device Letters. 1991. Vol. 12, №. 4. P. 151-153.
6. Conductive channel in ONO formed by controlled dielectric breakdown / S. Chiang [et al.] // VLSI Technology. 1992. P. 20-21.
7. Oxide-nitride-oxide antifuse reliability / S. Chiang [et al.] // Reliability Physics Symposium. 1990. P. 186-192.
8. Comparison of electromigration reliability of tungsten and aluminum vias under DC and time-varying current stressing / J. Tao [et al.] // Proc. of 30th International Reliability Physics Symposium. 1992. P. 338-343.
Рецензия
Для цитирования:
Петрович В.А., Бондаренко В.П., Долгий А.Л., Редько С.В. РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ СТРУКТУР АНТИПРОЖИГАЕМЫХ ПЕРЕМЫЧЕК ДЛЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ ВЕНТИЛЬНЫХ МАТРИЦ И ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ. Доклады БГУИР. 2018;(5):38-43.
For citation:
Petrovich V.A., Bondarenko V.P., Dolgiy A.L., Redko S.V. Various anti-fuse structures for field programmable gate arrays and programmable read-only memories. Doklady BGUIR. 2018;(5):38-43. (In Russ.)
Просмотров: 420
Послать статью по эл. почте 