bsuirДоклады БГУИРDoklady BGUIR1729-76482708-0382БГУИРbsuir-1009Research ArticleСтатьиРАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ СТРУКТУР АНТИПРОЖИГАЕМЫХ ПЕРЕМЫЧЕК ДЛЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ ВЕНТИЛЬНЫХ МАТРИЦ И ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВVarious anti-fuse structures for field programmable gate arrays and programmable read-only memoriesПетровичВ. А.PetrovichV. A.noemail@neicon.ruБондаренкоВ. П.BondarenkoV. P.noemail@neicon.ruДолгийА. Л.DolgiyA. L.noemail@neicon.ruРедькоС. В.RedkoS. V.sv.redko@bsuir.byБелорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика БеларусьBelarus201803062019053843Copyright © Петрович В.А., Бондаренко В.П., Долгий А.Л., Редько С.В., 20192019Петрович В.А., Бондаренко В.П., Долгий А.Л., Редько С.В.Petrovich V.A., Bondarenko V.P., Dolgiy A.L., Redko S.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://doklady.bsuir.by/jour/article/view/1009

Использование антипрожигаемых перемычек в качестве программируемых элементов становится все более популярным в программируемых пользователем вентильных матрицах и программируемых постоянных запоминающих устройствах. В работе обсуждаются характеристики различных структур антипрожигаемых перемычек, а также компромисс между производительностью и надежностью.

The use of anti-fuses as programmable elements is becoming popular in field programmable gate arrays and programmable read-only memories. The characteristics of various structures of anti-fuses and compromise between performance and reliability will be discussed in this paper.

антипрожигаемая перемычкапрограммируемая пользователем вентильная матрицапрограммируемое постоянное запоминающее устройствоanti-fusefield programmable gate arrayprogrammable read-only memoryReferencesDielectric based antifuse for logic and memory Ics/ E. Hamdy [et al.] // Electron Devices Meeting. IEDM'88. Technical Digest., International. 1988. P. 786-789.Dielectric based antifuse for logic and memory Ics/ E. Hamdy [et al.] // Electron Devices Meeting. IEDM'88. Technical Digest., International. 1988. P. 786-789.Characterization and Modeling of a Highly Reliable ONO Antifuse for High-Performance FPGA and PROM / G. Liu [et al.] // Int. J. of Materials Science and Applications. Vol. 5, № 3. 2016. С. 169-177.Characterization and Modeling of a Highly Reliable ONO Antifuse for High-Performance FPGA and PROM / G. Liu [et al.] // Int. J. of Materials Science and Applications. Vol. 5, № 3. 2016. С. 169-177.Wong R., Gordon K. Evaluating the Reliability of the Quicklogic Antifuse // Electronic Engineering. June, 1992. P. 49-55.Wong R., Gordon K. Evaluating the Reliability of the Quicklogic Antifuse // Electronic Engineering. June, 1992. P. 49-55.Antifuse structure comparison for field programmable gate arrays / S. Chiang [et al.] // Int. Electron Devices Meeting. Technical Digest. 1992. P. 611-614.Antifuse structure comparison for field programmable gate arrays / S. Chiang [et al.] // Int. Electron Devices Meeting. Technical Digest. 1992. P. 611-614.Scaled dielectric antifuse structure for field-programmable gate array applications / D.K.Y. Liu [et al.] // IEEE Electron Device Letters. 1991. Vol. 12, №. 4. P. 151-153.Scaled dielectric antifuse structure for field-programmable gate array applications / D.K.Y. Liu [et al.] // IEEE Electron Device Letters. 1991. Vol. 12, №. 4. P. 151-153.Conductive channel in ONO formed by controlled dielectric breakdown / S. Chiang [et al.] // VLSI Technology. 1992. P. 20-21.Conductive channel in ONO formed by controlled dielectric breakdown / S. Chiang [et al.] // VLSI Technology. 1992. P. 20-21.Oxide-nitride-oxide antifuse reliability / S. Chiang [et al.] // Reliability Physics Symposium. 1990. P. 186-192.Oxide-nitride-oxide antifuse reliability / S. Chiang [et al.] // Reliability Physics Symposium. 1990. P. 186-192.Comparison of electromigration reliability of tungsten and aluminum vias under DC and time-varying current stressing / J. Tao [et al.] // Proc. of 30th International Reliability Physics Symposium. 1992. P. 338-343.Comparison of electromigration reliability of tungsten and aluminum vias under DC and time-varying current stressing / J. Tao [et al.] // Proc. of 30th International Reliability Physics Symposium. 1992. P. 338-343.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.