Preview

Доклады БГУИР

Расширенный поиск

РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ СТРУКТУР АНТИПРОЖИГАЕМЫХ ПЕРЕМЫЧЕК ДЛЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ ВЕНТИЛЬНЫХ МАТРИЦ И ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

Полный текст:

Аннотация

Использование антипрожигаемых перемычек в качестве программируемых элементов становится все более популярным в программируемых пользователем вентильных матрицах и программируемых постоянных запоминающих устройствах. В работе обсуждаются характеристики различных структур антипрожигаемых перемычек, а также компромисс между производительностью и надежностью.

Об авторах

В. А. Петрович
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


В. П. Бондаренко
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


А. Л. Долгий
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


С. В. Редько
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Республика Беларусь
Беларусь


Список литературы

1. Dielectric based antifuse for logic and memory Ics/ E. Hamdy [et al.] // Electron Devices Meeting. IEDM'88. Technical Digest., International. 1988. P. 786-789.

2. Characterization and Modeling of a Highly Reliable ONO Antifuse for High-Performance FPGA and PROM / G. Liu [et al.] // Int. J. of Materials Science and Applications. Vol. 5, № 3. 2016. С. 169-177.

3. Wong R., Gordon K. Evaluating the Reliability of the Quicklogic Antifuse // Electronic Engineering. June, 1992. P. 49-55.

4. Antifuse structure comparison for field programmable gate arrays / S. Chiang [et al.] // Int. Electron Devices Meeting. Technical Digest. 1992. P. 611-614.

5. Scaled dielectric antifuse structure for field-programmable gate array applications / D.K.Y. Liu [et al.] // IEEE Electron Device Letters. 1991. Vol. 12, №. 4. P. 151-153.

6. Conductive channel in ONO formed by controlled dielectric breakdown / S. Chiang [et al.] // VLSI Technology. 1992. P. 20-21.

7. Oxide-nitride-oxide antifuse reliability / S. Chiang [et al.] // Reliability Physics Symposium. 1990. P. 186-192.

8. Comparison of electromigration reliability of tungsten and aluminum vias under DC and time-varying current stressing / J. Tao [et al.] // Proc. of 30th International Reliability Physics Symposium. 1992. P. 338-343.


Для цитирования:


Петрович В.А., Бондаренко В.П., Долгий А.Л., Редько С.В. РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ СТРУКТУР АНТИПРОЖИГАЕМЫХ ПЕРЕМЫЧЕК ДЛЯ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ПОЛЬЗОВАТЕЛЕМ ВЕНТИЛЬНЫХ МАТРИЦ И ПОСТОЯННЫХ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ. Доклады БГУИР. 2018;(5):38-43.

For citation:


Petrovich V.A., Bondarenko V.P., Dolgiy A.L., Redko S.V. Various anti-fuse structures for field programmable gate arrays and programmable read-only memories. Doklady BGUIR. 2018;(5):38-43. (In Russ.)

Просмотров: 62


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1729-7648 (Print)
ISSN 2708-0382 (Online)