Quantitative characterization of topographic defects of semiconductor silicon wafers
Abstract
The calculation of shadow images of the surfaces of semiconductor silicon wafers obtained by Makyoh topography is carried out. A quantitative relationship between the intensity of the shadow spots on the topogram and the micro geometric parameters of the silicon wafers has been established. The software for quantitative 3D-control and control criteria of the silicon wafer surfaces is proposed.
About the Authors
S. F. Sianko
ведущий инженер Государственного научного учреждения «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси»
Belarus
Belarus
A. S. Sianko
инженер Государственного научного учреждения «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси»
Belarus
Belarus
V. A. Zelenin
д.т.н., профессор, заведующий сектором Государственного научного учреждения «Физико-технический институт Национальной академии наук Беларуси»
Belarus
Belarus
References
1. Pei Z.J. A study of surface grinding of 300 mm silicon wafers // Int. J. of Mashine Tools & Manufacture. 2002. Vol. 42 (3) P. 385-393.
2. Makyoh-topography study of the swirl defects in Si wafers / R. Ferenc [et al.] // Thin Solid Films. 2008. Vol. 516, iss. 22. Р. 8087-8091.
3. Characterization of mirror-like wafer surfaces using magic mirror method / S. Hahn [et al.] // J. of Crystal Growth. 1990. Vol. 103, № 1-4. P. 423-432.
4. Kugimiya K. «MAKYOH»: The 2000 year old technology still alive // J. of Crystal Growth. 1990. Vol. 103, № 1-4. P. 420-422.
5. Riesz F. Makyoh Topography for the Study of Large-Area Extended Defects in Semiconductors // Phys. Stat. Sol. (a). 1999. Vol. 171, № 1. Р. 403-409.
6. Riesz F. Geometrical optical model of the image formation in Makyoh (magic-mirror) topography // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. № 33. P. 3033-3040.
7. Сенько С.Ф., Зеленин В.А. Оценка размеров топографических дефектов полупроводниковых кремниевых структур. Приборы и методы измерений. 2018. Т. 9, № 1. С. 74-84.
8. Топорец А.С. Оптика шероховатой поверхности. Л.: Машиностроение. 1988. 191 с.
9. ГОСТ 2789-73. Шероховатость поверхности. Параметры, характеристики и обозначения.
10. Сенько А.С., Сенько С.Ф., Зеленин В.А. Количественный контроль микрогеометрии поверхности полупроводниковых пластин // Материалы VII Междунар. науч.-техн. конф. «Высокие технологии в промышленности России», Москва, 29-30 июня 2001 г. С. 269-271.
11. Прэтт У. Цифровая обработка изображений. М.: Мир. 1982. 708 с.
Review
For citations:
Sianko S.F., Sianko A.S., Zelenin V.A. Quantitative characterization of topographic defects of semiconductor silicon wafers. Doklady BGUIR. 2018;(5):12-18. (In Russ.)
Views: 405
Email this article 